晶振的频率参数以及电路

时间：2020-01-05

康华尔电子有限公司－石英晶振设计电路指南

康华尔电子：在日夜不断发展成长，从民用晶体、、工业石英晶振、*晶振，从DIP晶振、SMD晶振、陶瓷雾化片、卫星导航、声表面滤波器系列。
从晶片研发，到电路的设计。公司已经有了实际的技术和开发生产能力，现将一些晶振设计电路，32.768K，千赫晶体匹配电容、晶振匹配IC、晶振振荡模式、驱动电压和功率，焊接温度曲线等应用技术公布，希望在此能帮助到一些有需要的公司和设计人士。
石英晶振振荡电路的设计概述
晶振|振荡电路设计的关键参数
驱动级（DL），晶振|振荡频率和负载电容（CL）
晶振|振荡模式，频率温度曲线
晶振驱动级（DL）
晶体单元的驱动器的运行功率或电流消耗水平（参见图9,10和11）所示。晶体单元操作的权力过大，水平，将导致其特点，这可能会导致晶体芯片的频率不稳定或物理故障的退化。你的电路设计在**较大驱动电平。

石英晶振|振荡频率和负载电容（CL）

负载电容（CL）是一个确定的晶振|振荡电路的频率参数。 CL是代表一个有效的等效电容，加载从晶振|振荡电路的晶体单元的两端（见图12）。
晶振|振荡频率会有所不同，这取决于负载电容
晶振|振荡电路。为了获得理想的频率精度，晶振|振荡电路的负载电容和晶体单元之间的匹配是必需的。为使用的表晶单元，配合晶体单元的负载电容的晶振|振荡电路的负载电容。

振荡津贴
为了确保稳定的振荡电路的负电阻应该显着**等效串联电阻较大的（振荡津贴是大）。确保振荡津贴，是至少5倍的等效串联电阻大。
振荡津贴的评价方法
加入电阻“RX”系列表晶单元，并确保该振荡启动或停止。近似的负阻电路是通过增加有效的抵抗“RE”的较大阻力“RX”振荡启动或停止后，逐渐使Rx值较大时，得到的值。
负阻 - R的|= RX+复
|-R的是一个至少5倍作为较大的晶体单元的等效串联电阻（R1的较大值）。大的价值。
* Re为振荡过程中的有效电阻值。
RE = R1（1+ CO/ CL的）2

频率温度曲线

音叉晶体的频率温度特性的负二次曲线，其中有一个高峰期在25ºC每左图所示。
请确保你所需要的温度范围和频率精度考虑，因为频率的幅度变化变得越来越大，温度范围变宽。
[频率温度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A：抛物系数   T：给定的温度
             钛成交额温度的

                          作者：康华尔――晶振帝国

深圳市康华电子有限公司专注于石英晶振、石英晶体、声表面滤波器、晶体晶体、KDS晶体、爱普生晶体、西铁城晶体、32.768KHZ等

词条
词条说明
压电石英晶体的制作过程和品种
压电石英晶体片除了在电子元件中制作晶振系列外，其实晶体片还可以制作很多元器件，例如声表面滤波器，光学制品，压电石英晶体，声表面谐振器，石英感应片等，压电石英晶体谐振器系列在电子元器件行业中通常叫做晶振。压电晶体一般制作其实有分为好几种，一般是通过人工种植，在经过加工合成的。在经过激光切割，研磨，镀城，调频等等系列工序而成，才制成压电水晶片。
爱普生晶振应用手机信息
居里在1880年发现了**石英晶体具有压电效应，从此就有了压电石英晶体的舞台，在经过人类不断的挖潜与开发，压电石英晶体被制作成各种元器件与工艺品，压电晶体在经过人工培育成功之后，更是有了石英晶体远大的开阔与发展,压电石英晶体，被制作成了石英晶体谐振器,SAW声表面滤波器，而石英晶体又被分为了，无源晶振和有源晶振，又有兆级之分，也有千赫时钟晶体表晶之分，而表晶应用较为广阔的频率是32.768KHZ，
爱普生晶振正在崛起
**中国晶振市场％20份额的一家日本晶振行业大企业，现在推出了**小型贴片晶振，并且在于2012年开始批量生产，这将又是晶振行业网的一次更新，也是各大数码产品追求小，轻，薄，的福音，很多数码产品，特别是通信产品，一直以来就被晶振的体积限制着发展速度，现在爱普生晶振推出这款小体积贴片晶振即将解决这方面难题。精工爱普生株式会社（总经理：碓井稔，以下简称为“爱普生”）将“SG-210S*H系列”石英晶
精工晶振的技术资料
低电荣低损耗的匹配方式.使用低匹配的设计产品.如手机,电子表之类产品,可大大的节省电池的损耗,以下是一些精工晶振的解决资料,可在技术下载中下载详细匹配资料. 对AT切晶体来说，在精工表晶使用初期，老化主要受元件内部应力释放影响，频率向升高方向变化，而后期受电极膜吸附的影响，，其频率按对数关系向降低方向变化，随时间增加变化量逐渐降低，见图4。为减小出厂时的老化率，生产商大都对产品进行了预老化。对老