晶振的频率参数以及电路

    康华尔电子有限公司-石英晶振设计电路指南
     
    康华尔电子:在日夜不断发展成长,从民用晶体、、工业石英晶振、*晶振,从DIP晶振、SMD晶振、陶瓷雾化片、卫星导航、声表面滤波器系列。
    从晶片研发,到电路的设计。公司已经有了实际的技术和开发生产能力,现将一些晶振设计电路,32.768K,千赫晶体匹配电容、晶振匹配IC、晶振振荡模式、驱动电压和功率,焊接温度曲线等应用技术公布,希望在此能帮助到一些有需要的公司和设计人士。
    石英晶振振荡电路的设计概述
    晶振|振荡电路设计的关键参数
    驱动级(DL),晶振|振荡频率和负载电容(CL)
    晶振|振荡模式,频率温度曲线
    晶振驱动级(DL)
    晶体单元的驱动器的运行功率或电流消耗水平(参见图9,10和11)所示。晶体单元操作的权力过大,水平,将导致其特点,这可能会导致晶体芯片的频率不稳定或物理故障的退化。你的电路设计在**较大驱动电平。
     
    石英晶振|振荡频率和负载电容(CL)
     
    负载电容(CL)是一个确定的晶振|振荡电路的频率参数。 CL是代表一个有效的等效电容,加载从晶振|振荡电路的晶体单元的两端(见图12)。
     晶振|振荡频率会有所不同,这取决于负载电容
    晶振|振荡电路。为了获得理想的频率精度,晶振|振荡电路的负载电容和晶体单元之间的匹配是必需的。为使用的表晶单元,配合晶体单元的负载电容的晶振|振荡电路的负载电容。

    振荡津贴
    为了确保稳定的振荡电路的负电阻应该显着**等效串联电阻较大的(振荡津贴是大)。确保振荡津贴,是至少5倍的等效串联电阻大。
    振荡津贴的评价方法
    加入电阻“RX”系列表晶单元,并确保该振荡启动或停止。近似的负阻电路是通过增加有效的抵抗“RE”的较大阻力“RX”振荡启动或停止后,逐渐使Rx值较大时,得到的值。
    负阻 - R的|= RX+复
    |-R的是一个至少5倍作为较大的晶体单元的等效串联电阻(R1的较大值)。大的价值。
    * Re为振荡过程中的有效电阻值。
    RE = R1(1+ CO/ CL的)2

    频率温度曲线
     

    音叉晶体的频率温度特性的负二次曲线,其中有一个高峰期在25ºC每左图所示。
    请确保你所需要的温度范围和频率精度考虑,因为频率的幅度变化变得越来越大,温度范围变宽。
    [频率温度特性的近似公式]
    f_tem= B(T-TI)2
    A:抛物系数   T:给定的温度
                 钛成交额温度的
     
                              作者:康华尔――晶振帝国


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