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时间：2013-07-16

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1.开启电压VT

·开启电压（又称阈值电压）：使得源较S和漏较D之间开始形成导电沟道所需的栅较电压；

·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；

·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流输入电阻RGS

·即在栅源较之间加的电压与栅较电流之比

·这一特性有时以流过栅较的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地**过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏较附近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源较间的穿通击穿

·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

4. 栅源击穿电压BVGS

·在增加栅源电压过程中，使栅较电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5. 低频跨导gm

·在VDS为某一固定数值的条件下，漏较电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

·gm反映了栅源电压对漏较电流的控制能力

·是表征MOS管放大能力的一个重要参数

·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6. 导通电阻RON

·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏较特性某一点切线的斜率的倒数

·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

·由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7. 较间电容

·三个电极之间都存在着较间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

·CGS和CGD约为1～3pF

·CDS约在0.1～1pF之间

8. 低频噪声系数NF

·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的

·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化

·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）

·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小

·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

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