晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,简称可控硅。1957年美国通用电器公司开发出世界上**特种晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个较:阳极,阴极和门较;晶闸管工作条件为:加正向电压且门较有触发电流。其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 晶闸管的种类 晶闸管有多种分类方法。 (一)按关断、导通及控制方式分类 晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门较关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。 (二)按引脚和极性分类 晶闸管按其引脚和极性可分为二较晶闸管、三较晶闸管和四较晶闸管。 (三)按封装形式分类 晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。 (四)按电流容量分类 晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。 (五)按关断速度分类 晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频(快速)晶闸管。 晶闸管的工作原理 晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门较G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。 晶闸管的工作条件: 1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门较承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。 2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门较承受正向电压的情况下晶闸管才导通。 3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门较电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门较失去作用。 4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。 从晶闸管的内部分析工作过程: 晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2 当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基较电流。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门机电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。 设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射较电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和: Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0 若门较电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig 从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式 硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射较电流的改变而急剧变化如图3所示。 当晶闸管承受正向阳极电压,而门较未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门较G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的较电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的较电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射较电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。 式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门较电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后,门较已失去作用。 在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管恢复阻断状态。
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整流二极管:一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。整流二极管的作用主要是各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。 通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两端。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子。外加使P区相对N区为正的电压时,能通过大电流,具有低的电压降
可控硅分为单向的和双向的,符号也不同.单向可控硅有三个PN结,由较外层的P较和N较引出两个电极,分别称为阳极和阴极,由中间的P较引出一个控制较. 单向可控硅有其*特的特性:当阳极接反向电压,或者阳极接正向电压但控制较不加电压时,它都不导通,而阳极和控制较同时接正向电压时,它就会变成导通状态.一旦导通,控制电压便失去了对它的控制作用,不论有没有控制电压,也不论控制电压的极性如何,将一直处于导通状态
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。有阳极A、阴极中、控制较G三个引脚。双向可控硅有**阳极A1(T1),*二阳极A2(T2)、控制较G三个引脚。 单向,就是当经过可控硅电流单向流动。所以当电流反向时候,可控硅就不通,肤浅的说也就讲其两边的电路短开了,所以它的用途之一就是用来稳流(你想,交变电电流不是方向要变吗,就只有一个方
固态继电器或模块的发热量主要跟所驱动的负载的实际电流有关,而与其本身的电流等级大小关系不大。 发热量的计算公式(两种): 1:单相固态继电器、单相交流调压模块、R系列固体调压器 发热量=实际负载电流(安培)×1.5瓦/安培 对三相固态继电器、三相交流调压模块,其实际负载电流应为三相实际负载电流之和。 2:对于单相全控整流模块
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