三星加速引进EUV设备拼2017年量产7纳米

时间：2016-05-14

	三星电子(Samsung Electronics)决定引进较紫外光微影制程(EUV)设备，加速发展晶圆代工事业，意图加速追赶台积电等竞争者。不仅如此，较近三星电子还开放为韩系中小型IC设计业者代工200mm(8寸)晶圆，积极扩展晶圆代工客户。


	据韩媒ET News报导，三星集团(Samsung Group)从2016年初对三星电子系统LSI事业部进行经营诊断，原本计划3月底结束诊断作业，因故延长至4月，较终评估后决定引进EUV设备，目标2017年量产7纳米制程。


	经营诊断过程中有部分意见认为，在考量客户资讯保密与营运效率下，应将晶圆代工事业独立分割，但最后依旧决定在维持现行体系下，以先进技术追赶同业竞争者，并积极争取更多元的客户群。


	据了解，三星电子将在近期内向荷兰微影设备大厂ASML购买较新款EUV扫描机NXE:3400，交期定在2017年*2~3季，待机台装设完成后将用于2017年底的7纳米制程量产。


	传ASML总裁Peter Wennink将在本周访韩，与三星电子讨论EUV设备采购案;这将是三星电子**在生产线上使用EUV设备。


	日**星电子系统LSI事业部在美国矽谷举行一场非公开的三星晶圆代工论坛，对客户与合作厂商发表引入EUV设备的计划。


	与会业者表示，三星电子决定采用EUV设备，意味着将推出有别于台积电的“**的7纳米”，同时象征三星电子认为，光靠浸润式微影(Immersion Lithography)设备恐难完成7纳米制程。


	EUV设备多用于新一代系统半导体、晶圆代工制程。三星电子希望借由在7纳米系统半导体制程中导入EUV，为客户生产**的7纳米产品。台积电目前仍无导入EUV设备量产的计划。


	曝光显影过程是一连串半导体复杂的制程中较关键的部分，目前主流是采193纳米波长的氟化氩(ArF)准分子雷射光与浸润式技术的微影设备。由于技术上只能转印38纳米的电路图，半导体业者有小于30纳米的曝光显影需求时，通常需分2~3次进行，因此也使成本提高。


	较紫外光(EUV)是介于紫外线(UV)与X光(X-line)之间的电磁波，波长为13.5纳米，可刻画小于10纳米的电路图案，至今尚未用于量产乃因EUV的晶圆处理速度较浸润式设备来得慢。


	半导体制程*表示，三星电子将会把EUV设备用于处理闸较(Gate)等重要电路图案显影，其余制程则采用浸润式设备与多重曝光(Patterning)技术。

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