HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管

时间：2016-12-28作者：深圳市雅迪斯电子有限公司浏览：46

HGTG5N120BND产品概述
HGTG5N120BND 基于非穿通（NPT）IGBT 设计。该 IGBT 非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用，如：UPS、光伏逆变器、电机控制以及电源。
HGTG5N120BND产品特性
10A, 1200V, TC = 110°C
低饱和电压：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 5 A
典型下降时间。. . . . . . . . . . . . . . . TJ= 150°C时为175ns
短路额定值
低传导损耗


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  词条说明

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