MOS管并联均流技术分析 IGBT管并联均流技术分析

时间：2016-06-29

	MOS管并联均流技术分析


	IGBT管并联均流技术分析


	BJT 管并联均流技术分析


	 


	 


	普通的功率MOSFET因为内阻低、耐压高、电流大、驱动简易等优良特性而得到了广泛应用。当单个MOSFET的电流或耗散功率不满足设计的需求时就遇到了并联mos管的问题。并联mos管的两大问题，其一就是mos管的选型，其二就是mos管参数的筛选。


	首先我们测试从某网店购买的IRF4905型PMOS管。从图中可见此PMOS管的字符与常见的IR公司器件有较大差异，遂使用DF-80A型二极管正向压降测试仪对此mos管进行实际的ID-VDS曲线测试。先从官网下载IRF4905的ID-VDS曲线，可见当Vgs为-6.5V时，Id约在90A时恒流。


	    用二极管测试仪DF-80A连接待测MOS管，测试仪输出正极接IRF4905的S较，测试仪的负极接IRF4905的D较，用线性稳压电源加电位器接到IRF4905的G较，调节电位器，使Vgs=-6.5V。


	实际测试：ID扫描范围：0-100A，测试脉宽300微秒。可得到一个奇怪的测试曲线，与数据手册中的曲线并不一致，在85A附近类似恒流趋势，但是随后曲线发生转折，变成了近似恒压曲线。敲开该mos管发现，内部晶片仅芝麻粒大小。


	    从手册上可得该PMOS管的电流可达74A，显然此批料为假货。如果购料后没经过测试即上机，几乎必然出现炸管事故。


	我们再从本地电子市场购买一管IRF4905。再次用DF-80A型二极管正向特性测试仪测量ID-VDS曲线。参数同上：ID扫描范围：0-100A，300us脉冲宽度。测量结果如下：该曲线与数据手册的描述相符。


	进一步解剖结果显示，该PMOS管晶片面积大，且金属部分呈紫铜色，与假芯片MOS管形成了鲜明对比。而且使用DF-80A型二极管正向压降测试仪测试时，ID电流均是脉冲形式，平均功率很低，所以待测MOS管均不明显发热，保护器件不受损。


	选定了MOS管的供应商后将挑选参数尽量一致的MOS管。我们用16只IRF4905管并联做并联分流，这些MOS管源较并联，栅较通过电阻网络连接，漏较悬空待测。测试方法同上。利用该软件的Excel数据导出功能，可以很方便的比较每个MOS管的特性曲线。


	 


	    图为16只MOS管的ID-VDS曲线，使用Excel的绘制折线图功能生成。该曲线清晰展示了有4只mos管的导通电阻小于其余的MOS管，这些MOS管工作时将流过更大的电流，易受损。因此将这四只MOS管换新后，16条ID-VDS曲线近乎**重合，达到了并联使用要求。

词条
词条说明
可编程高压电源
一、应用范围 1、高压实验 2、电器设备的绝缘耐压测试 3、高压电容耐压测试 4、电子加速实验 5、电离空气产生等离子体 6、半导体器件测试 7、IGBT测试 8、二极管测试二、电源参数类型数值单位备注输出电压 0-20.00 kV 电压控制 0-5 V 电源自带的多圈电位器可通过0-5V调节输出的0-20kv 过流保护 5 W 当输出功率大于5W时，电源自动启动保护输出功率 0
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