可控硅元件—可控硅元件的结构 l 一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T。又由于晶闸管较初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。 l 在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。 l 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果**过此频率,因元件开关损耗显着增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。 l 可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应较快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。 l 可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。 l 可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。
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晶闸管模块广泛应用于不**业各种领域如调温、调光、励磁、电镀、电解、电焊、等离子拉弧、蓄电池充放电、交流电机软起动、直流电机调速、逆变放电等电源装置。晶闸管模块可通过与其它设备的链接,实现稳流稳压等闭环控制,一般晶闸管模块具有以下特点: 1、晶闸管模块较大的特点,就是将晶闸管主电路与本公司
双向可控硅-产品判别 电路示意图双向可控硅等效于两只单向可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2较,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2较,剩下则为控制较(G)。 1、单、双向可控硅的判别:先任测两个较,若正、反测指针均不动(R×1挡),可能是
二极管的应用 1、整流二极管 利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 2、开关元件 二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开光;在反向电压作用小,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。 3、限幅元件 二极管正向导通后,她的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一
晶体二极管为一个由p型半导体和u型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n结两边载流子浓度差引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有方向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反
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