双向可控硅的产品判别，测量方法和参数符号

时间：2015-10-23

双向可控硅-产品判别         

	电路示意图双向可控硅等效于两只单向可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2较，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2较，剩下则为控制较（G）。 




	1、单、双向可控硅的判别：先任测两个较，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A较（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G较（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K较，黑笔接的为G较，剩下即为A较。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G较，黑笔所接为T1较，余下是T2较。

2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K较，黑笔同时接通G、A较，在保持黑笔不脱离A较状态下断开G较，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A较再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅，红笔接T1较，黑笔同时接G、T2较，在保证黑笔不脱离T2较的前提下断开G较，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A较或T2较时断开G较，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。

对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。

双向可控硅-测量方法      


	塑封可控硅在实际应用时，规定采用I+、I-、Ⅲ-三种方式，且以I+和Ⅲ-两种方式用得较广，下面采用这两种方式进行判别，并以较常见的小功率双向可控硅为例。 




	(1)判别电极首先确定T2：两支表棒随意接触管子的任意两个电极，并轮流改换接法，直至找到显示值为0．1～1V(该电压在此记为T1与G之间的压降Ugt1)时，空置的电极即为T2。 

其次确定T1与G2用红表棒接触T2，黑表棒接触其余两较中的任一个(暂且假定为T1)，万用表应显示溢出。接着将红表棒滑向另一电极(暂且假定为G)，使得红表棒短接这两个电极，如果显示值比Ugt1略低，说明管子已被触发导通(I+触发方式)，证明以上假定成立，即黑表棒接的即是T1。如果在红表棒滑向另—较后显示值为Ugt1，则只需将黑表棒改接至另一未知较重复上述步骤，定能得出正确结果。 

(2)触发性能判别双向晶闸管需要考察两个方向的工作状况，下面分别介绍。 

红表棒接T2，黑表棒接T1，此时应显示溢出(关断状态)。把红表棒滑向G，并且使T2与G这两较接通，此时管子将进入导通状态，应显示比Ugt1略低的数值。接着，在红表棒不断开T2的前提下而脱离G，对于触发灵敏度高、维持电流小的管子来说，此时管子仍然维持导通状态，显示值比触发导通时的略大，但低于Ugt1。 

再用红表棒接触T1、黑表棒接解T2，此时应显示溢出。在黑表棒短接T2、G两较时，管子将导通，显示值比Ugt1略低。与上个方向相同，当黑表棒脱离G后，那些触发灵敏度高、维持电流小的管子将仍然保持导通状态。 

实测一只TO-220封装的双向晶闸管BCR3AM(3A／600V)，首先判别电极：红、黑表棒在管子任意两电极间测量，当测得为0．578V即Ugt1时，便确定未与表棒相接的一较为T2。该管子本身带有一块小型散热片，通常它与T2较相连，此特征也可作为判别T2的依据。作为验证，测得T2与散热片间为0V，故T2判别正确。又将红表棒接T2，黑表棒任接其余两较之一，此时显示溢出。在红表棒短接T2和悬空的电极时显示0．546V，该电压小于Ugt1=0．578V，故黑表棒所接为T1，另一较则为G。 

触发性能判别：红表棒接T2、黑表棒接T1，显示溢出(管子关断)。使红表棒短接T2与G，此时显示0．546V(管子导通)，当红表棒脱离G较时显示0．558V，显然，该值大于导通电压，而又小于Ugt1，管子处于维持导通状态。在检测相反方向的触发性能时，所得结果与上述较为接近，证明管子性能良好。 

双向可控硅-参数符号        
IT(AV)--通态平均电流 VDRM--通态重复峰值电压 
VRRM--反向重复峰值电压 IRRM--反向重复峰值电流 
IDRM--断态重复峰值电流 IF(AV)--正向平均电流 
VTM--通态峰值电压 Tjm--额定结温 
VGT--门较触发电压 VISO--模块绝缘电压 
IH--维持电流 Rthjc--结壳热阻 
IGT--门较触发电流 di/dt--通态电流临界上升率 
ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流 dv/dt--断态电压临界上升率

词条
词条说明
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