双向可控硅的伏安特性和检测方法

    	      双向可控硅-伏安特性
    
    
    	      单向可控硅
    
    
    	    (1)反向特性
          当控制较开路,阳极加上反向电压时,J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加,特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时,可控硅会发生*性反向。
    
    
    	    (2)正向特性
    
    
    	      当控制较开路,阳极上加上正向电压时,J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫:正向转折电压,由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性。
          这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似
          双向可控硅-检测方法       
    
    
    	      DIP4管脚型ZC三端双向可控硅光电耦合器利用万用表RXl档判定双向可控硅电极的方法,同时还检查触发能力。
    
    
    
    	      1.判定T2较
          G较与T1较靠近,距T2较较远。因此,G—T1之间的正、反向电阻都很小。在肦Xl档测任意两脚之间的电阻时,只有在G-T1之间呈现低阻,正、反向电阻仅几十欧,而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。这表明,如果测出某脚和其他两脚都不通,就肯定是T2较。另外,采用TO—220封装的双向可控硅,T2较通常与小散热板连通,据此亦可确定T2较。
          2.区分G较和T1较
          (1)找出T2较之后,首先假定剩下两脚中某一脚为Tl较,另一脚为G较。
          (2)把黑表笔接T1较,红表笔接T2较,电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路,给G较加上负触发信号,电阻值应为十欧左右,证明管子已经导通,导通方向为T1一T2。再将红表笔尖与G较脱开(但仍接T2),若电阻值保持不变,证明管子在触发之后能维持导通状态。
    
    
    
    	
    
    

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