吉时利2602B 回收 keithley2602B

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    欧阳R:135,,3722,,9325
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    吉时利2602B 美国吉时利keithley源表SMU, MOS 电容器
    C-V 曲线 (高频:100kHz):
    掺杂类型 – 氧化层厚度 – 平带电压 – 阈值电压 – 衬底掺杂 – 较大耗尽层宽度 – 反型层到平衡的灵敏度:电压扫描率和方向 – 光效应和温度效应。
    I-V 曲线分析:
    电荷建立 (测量电压 - 时间图,用低电流源); 氧化层电容测定; 与 C-V 曲线比较。
    C-V 曲线 (准静态) 
    
    详细说明
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    吉时利KEITHLEY2600B系列源表研究领域:
    各种器件的I-V功能测试和特征分析,包括:
    离散和无源元件 
    –两抽头器件——传感器、磁盘驱动器头、金属氧化物可变电阻(MOV)、二极管、齐纳二极管、电容、热敏电阻
    –三抽头器件——小信号双较结型晶体管(BJT)、场效应晶体管(FET)等等 
    简单IC器件——光学器件、驱动器、开关、传感器
    集成器件——小规模集成(SSI)和大规模集成(LSI)
    –模拟IC 
    –射频集成电路(RFIC)
    –**集成电路(ASIC)
    –片上系统(SoC)器件
    光电器件,例如发光二极管(LED)、激光二极管、高亮度LED(HBLED)、垂直腔面发射激光器(VCSEL)、显示器
    圆片级可靠性
    - NBTI、TDDB、HCI、电迁移
    太阳能电池
    电池
    暂态抑制器件
    IC、RFIC、MMIC
    激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器
    电路保护器件:
    TVS、MOV、熔丝
    安全气囊
    连接器、开关、继电器
    碳纳米管
    半导体纳米线
    碳纳米管 FET
    纳米传感器和阵列
    单电子晶体管
    分子电子
    **电子
    基本运放电路
    二极管和电路
    晶体管电路
    测试:
    漏流
    低压、电阻
    LIV
    IDDQ
    I-V特征分析
    隔离与轨迹电阻
    温度系数
    正向电压、反向击穿、漏电流
    直流参数测试
    直流电源
    HIPOT

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    词条说明

  • 回收 ZNBT20 二手ZNBT20

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