STANSON技术形成于1981年,业务集中于出口当时的半导体设备和零件。此后,她逐渐转型为材料和零部件销售。
1996年,由于市场需求,司坦森科技在闽台成立子公司,设计/开发半导体器件,如电晶体、莫斯菲特、二极管及IC设计。
为了进一步加强对中国客户的支持,司坦森科技在闽台和深圳设立了销售办事处。
司坦森提供各种规格的宽产品线的总电源解决方案。这包括监管者,
如液晶显示器/电视、dsc、磁盘阵列等3c应用程序的dc/dc转换器、电源mosfet、led驱动器等
读卡器,pdf,mp3/mp4等司坦森负责美国和闽台的设计团队。
我们的晶片在闽台和中国都有各种铸造厂。包装和测试都在中国。
我们的产品不仅得到当地主要工厂的批准,而且还得到海外客户的批准。
尽管在激烈的竞争下,司坦森技术始终能够为客户提供高质量的产品和可接受的价格。
司坦森科技希望通过支持客户的需求与客户一起成长。
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词条说明
STANSON品牌STC6614 双沟道NP60V 7A应用于风扇
STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK产品描述STC6614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力,并提供优越的开关性能.该装置特别适合于低电压应用如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在高侧开关,低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的。参数N沟道60V /10A,RDS(ON)= 35mΩ(典型值
STC4301D原厂NP40V 23A可替代AOD609、AOD606、FKD4903
STANSON 闽台司坦森原厂直销 长期库存充足,价格优美,质量保证STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4说明STC4301d是采用高电池密度的n&p沟道增强模式电场效应晶体管dmos战壕技术。这种高密度的过程特别适合将状态阻力降到低并提供优越的切换性能。这种装置特别适用于低压应用如电源管理,其
原厂STC4614 规格NP40V 10A 25mΩ SOP-8应用于按摩器主板
STC4614可替代其它品牌:STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614产品介绍STC4614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用如笔
STANSON STC6614 可替代Si4559A SM6041SCK NCE603S
STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK描述stc6614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在高侧开关,低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的。特征N沟道60V /幅,RDS(ON)= 35mΩ(典型值)@ VG
公司名: 司坦森集成电路(深圳)有限公司
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AO3442 Si2328DS 用ST1004SRG替换,N100V ,2A SOT-23
STN4186D原厂STANSON/司坦森 TO-252 N40V 35A低压MOS 场效应管闽台厂家供应货足价优
STN7120DN N60V 50A 12mΩ ST2301A
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ST3421SRG P60V 5A 150mΩ STANSON 原厂
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