内置mos同步整流芯片方案

时间：2020-01-05

作者：深圳市骊微电子科技有限公司

PN8306M/H同步整流电源芯片，与PN8370、PN8386配合使用，轻松实现5V2A、5V2.4A、5V3.4A六级能效电源方案。

PN8306M 5v同步整流降压芯片特性：

1、适用于DCM/QR工作模式的反激变换器，效率提高3%以上；

2、内置6/14mΩ 55V Trench MOSFET，典型应用5V2.4A/3.4A；/3、Smart控制算法实现零直通炸机风险；

4、VIN耐压高达24V，抗冲击能力强；

5、内置高压供电模块，同步控制不受输出电压波动影响，更可靠；

6、高精度次级电流检测，同步整流关断点精准，提高转换效率，避免倒灌电流；

7、**强HBM ESD设计， VIN、VDET*外串电阻，可满足15kV空气/8kV接触ESD标准；

8、较小导通时间可通过RT电阻调整以匹配变压器设计，避免同步整流干扰PSR采样；

9、ESOP8裸铜散热封装，温升更低；

10、VIN欠压保护/过压钳位。

PN8370M+PN8306M 内置mos同步整流芯片六级能效方案亮点 :

外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M*特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。

高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显着提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。

低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。

PN8306内置mos同步整流芯片因外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片，骊微电子广泛于5V2A、5V2.4A、5V3.4A六级能效电源方案。

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内置mos同步整流芯片方案
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