PN8149**低待机功耗交直流转换芯片, 非常适合六级能效Level6、Eur2.0能源之星应用。
PN8147,PN8149部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗,全电压范围下的较佳效率。良好的 EMI表现由频率调制技术和SoftDriver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN8147/9为需要**低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台。
1.内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
2.Hi-mode(60kHz PWM)
3.Eco-mode(动态PFM)
4.Burst-mode(25kHz间歇工作模式)
5.改善EMI的频率调制技术
6.空载待机功耗<50mW@230VAC
7.软启动技术
8.内置高压启动电路
9.内置线电压补偿和斜坡补偿
10.优异全面的保护功能
过温保护(OTP)
过载保护(OLP)
外部可调式周期过流保护(OCP)
过压保护(OVP)
CS短路保护
六级能效
输入电压范围:90V~264Vac
隔离/恒压/内置MOS /
副边反馈
PN8149应用领域:
1.开关电源适配器和电池充电器
2.白色家电、个人电脑、音响等辅助电源
3.LCD/PDP电视机辅助电源
深圳市骊微电子科技有限公司
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词条
词条说明
PN8680M低功耗电源芯片是一款高性能的原边反馈控制器。PN8680M工作在原边检测和调整模式,可省略系统的光耦和TL431。PN8680M低功耗电源芯片拥有恒压恒流控制环路,可以实现高精度的恒压、恒流输出,以满足大部分充电器和适配器需求。骊微电子12V开关控制芯片PN8680M内置高压启动电路和较低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。 1. 高压启动控制:PN86
PN8147**低待机功耗交直流转换芯片PN8147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源 该芯片提供 较为全面和性能优异的智能化保护功能 包括周期式过流保护(外部 调) 过载 关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode
5V1.2A小功率适配器芯片方案采用是原边反馈电源芯片PN8366,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW,是一种高性能的源边反馈(PSR)和单片开关电源控制器,专为具有电流模式控制的小型电源设备设计,PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,骊微电子用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源,较大限度
随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施,同步整流取代肖特基已成为大势所趋,骊微电子推出新一代精简外围12V3A六级能效充电器/适配器方案:PN8275+PN8308H外围外围BOM降低20%,效率高达87%,满足六级能效的传统12V3A六级能效同步整流方案。 六级能效同步整流方案概述:PCBA尺寸:39.0mm*86.0mm输入电压:90~265Vac全电压输出功率:36
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