PN8161概述:
PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。
PN8161产品特征:
■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 较高开关频率125kHz
■ 外围精简,*启动电阻及CS检测电阻
■ 高低压脚位两侧排列提高安全性
■ 内置高压启动,空载待机功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8-40V,适合宽输出电压应用
■ 优异全面的保护功能
² 过温保护 (OTP)
² 输出过压保护
² 逐周期过流保护 (OCP)
² 输出开/短路保护
² 次级整流管短路保护
² 过负载保护(OLP)
PN8161应用领域:
■ 充电器
■ 适配器
■ 开放式开关电源
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词条
词条说明
PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,输出电压可通过FB电阻调整3.3V~24V,用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源。 PN8015 5V0.2A风扇方案:■ 输入电压:90~265V■ 输出功率:≤1W■ 输出电压电流: 5V/0.2A■ 拥有可恢复短路保护,输出过载保护。 在启动阶段
PN8306产品描述:PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。PN8306处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到V SW <-400mV,控制器驱动功率MOSFET开启;当芯片检测到功率MOSFET流过的
PN8680M低功耗电源芯片是一款高性能的原边反馈控制器。PN8680M工作在原边检测和调整模式,可省略系统的光耦和TL431。PN8680M低功耗电源芯片拥有恒压恒流控制环路,可以实现高精度的恒压、恒流输出,以满足大部分充电器和适配器需求。骊微电子12V开关控制芯片PN8680M内置高压启动电路和较低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。 1. 高压启动控制:PN86
骊微电子在5V开关电源ic方案上推荐典型的**低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器制IC,例如:开关电源芯片PN8368。 PN8368集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。
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