PN8306产品描述:
PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。
PN8306处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到V SW <-400mV,控制器驱动功率MOSFET开启;当芯片检测到功率MOSFET流过的电流降低到阈值-10mV时,控制器驱动功率MOSFET关闭。该芯片提供了较为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、输出过压钳位等功能。
PN8306产品特点:
■ 内置13mΩ 40V Trench MOSFET
■ 适用于DCM和QR工作模式
■ 高精度次级电流检测电路
■ 通过RT脚外置电阻可以灵活设置Tonmin
■ 优异全面的辅助功能
欠压保护
过压钳位
PN8306广泛应用于:
5V电池充电器及适配器
词条
词条说明
PN8370是一款高性能的原边反馈控制器。PN8370工作在原边检测和调整模式,可省略系统的光耦和TL431。PN8370拥有恒流恒压控制环路,可以实现高精度的恒压、恒流输出,能够满足大部分充电器和适配器需求。PN8370内置高压启动电路和较低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。在启动阶段,采用高压启动技术,芯片启动前0.5mA电流源为内部偏置电路供电并给外部VDD电容充电,快速启动。当
PN8306产品描述:PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。PN8306处于开关工作模式,只适用于DCM和QR工作模式的开关电源系统。当芯片检测到V SW <-400mV,控制器驱动功率MOSFET开启;当芯片检测到功率MOSFET流过的
5V1.2A小功率适配器芯片方案采用是原边反馈电源芯片PN8366,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW,是一种高性能的源边反馈(PSR)和单片开关电源控制器,专为具有电流模式控制的小型电源设备设计,PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,骊微电子用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源,较大限度
PN8149**低待机功耗交直流转换芯片, 非常适合六级能效Level6、Eur2.0能源之星应用。PN8147,PN8149部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode
公司名: 深圳市骊微电子科技有限公司
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