闽台STANSON原厂现货STN4438 SOP-8 N60V 8.5A 应用于风扇

    STANSON 原厂STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK


    描述
    STN4438是N沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的
    采用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度
    过程是特别定制,以尽量减少对国家的阻力。这些器件
    特别适合于低电压应用,如电源管理和其他
    高侧开关的电池供电电路。
    特征
    60V / 8.2A,RDS(ON)= 25毫欧(典型值)
    @ VGS = 10V
    60V / 7.6A,RDS(ON)=30毫欧
    @ VGS = 4.5V
    **高密度电池设计
    较低的RDS(on)
    特殊的阻力和较大
    直流电流的能力

    SOP-8封装设计



    司坦森集成电路(深圳)有限公司专注于STP6621,STN4438等

  • 词条

    词条说明

  • STC6301D 替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU

    STANSON 闽台司坦森原厂直销 长期库存充足,价格优美,质量保证STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4说明STC6301d是采用高电池密度的n&p通道增强模式电场效应晶体管mos战壕技术。这种高密度的过程特别适合将状态阻力降到较低并提供优越的切换性能。这种装置特别适用于低压应用如电源管理,其

  • STN454D TO-252 N40V 10A 规格书 中文资料PDF

    • 沟槽式场效电晶体 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si

  • 闽台STANSON厂家STC4614 规格参数NP40V 10A

    描述STC4614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在高侧开关,低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的STC4614 参数:N沟道40V/10.0A,RDS(ON)= 25mΩ(典型值)@ VGS = 10V40V/6A,RDS

  • STANSON品牌STC6614 双沟道NP60V 7A应用于风扇

    STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK产品描述STC6614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力,并提供优越的开关性能.该装置特别适合于低电压应用如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在高侧开关,低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的。参数N沟道60V /10A,RDS(ON)= 35mΩ(典型值

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