STANSON/司坦森原厂 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY
描述
STN4828是双N沟道逻辑增强型功率场效应
晶体管是利用高密度,DMOS器件沟道技术。
这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力。这些
装置特别适合于低电压应用,笔记本电脑电源
管理和其他电池供电的电路,高侧开关
特征
60V / 10.0A,RDS(ON)=30mΩ(典型值)
@ VGS = 10V
60V/6A,RDS(ON)= 35mΩ
@ VGS = 4.5V
**高密度电池设计
较低的RDS(on)
特殊的阻力和
较大直流电流能力
SOP-8封装设计
词条
词条说明
STANSON原厂现货STP4435参数P30V 10A用于车灯 可替代Si9804、AO4419
STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459描述stp4435是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑它是利用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度过程是特别定制,以
台产STC4614 NP40V 10A可替代Si4567 AO4614A Si4599DY Si4564DY原厂库存充足
STANSON 闽台司坦森原厂直销供货,库存充足,价格优势,质量保证STC4614可替代其它品牌:STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614产品介绍STC4614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量
STANSON技术形成于1981年,业务集中于出口当时的半导体设备和零件。此后,她逐渐转型为材料和零部件销售。 1996年,由于市场需求,司坦森科技在闽台成立子公司,设计/开发半导体器件,如电晶体、莫斯菲特、二极管及IC设计。 为了进一步加强对中国客户的支持,司坦森科技在闽台和深圳设立了销售办事处。 司坦森提供各种规格的宽产品线的总电源解决方案。这包括监管者, 如液晶显示器/电视、dsc、磁盘阵
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公司名: 司坦森集成电路(深圳)有限公司
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