STANSON/司坦森原厂 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY
描述
STN4828是双N沟道逻辑增强型功率场效应
晶体管是利用高密度,DMOS器件沟道技术。
这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力。这些
装置特别适合于低电压应用,笔记本电脑电源
管理和其他电池供电的电路,高侧开关
特征
60V / 10.0A,RDS(ON)=30mΩ(典型值)
@ VGS = 10V
60V/6A,RDS(ON)= 35mΩ
@ VGS = 4.5V
**高密度电池设计
较低的RDS(on)
特殊的阻力和
较大直流电流能力
SOP-8封装设计
词条
词条说明
STANSON 贴片MOS STN442D 规格书N60V 37A 应用于按摩椅主板 原厂直销交货快
STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442描述STN442D使用沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和栅较电荷。这些设备是适合作为负载开关或在应用程序使用。特征60V / 20.0a,RDS(上)= 24mΩ(典型值@ VGS = 10V60V / 20.0a,RDS(上)= 31mΩ@ VGS = 4.5V**高密度电池设计较低的RDS(on)特殊的阻力和较大直流电流能力TO-2
闽台STANSON厂家STC4614 规格参数NP40V 10A
描述STC4614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在高侧开关,低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的STC4614 参数:N沟道40V/10.0A,RDS(ON)= 25mΩ(典型值)@ VGS = 10V40V/6A,RDS
stasnon 原厂STC4606规格参数NP30V 6.5A大量现货
STANSONSTC4606可替代型号:STC4606替代Si4532CDY、AO4606、NCE4606、AO4616、AO4624、FDS8958、WSP4620、SM9435PSK、GF6706A、AO4627、AO4629、UD4606、UP2790STC4606产品介绍:stc4606是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽
原厂STC4614 规格NP40V 10A 25mΩ SOP-8应用于按摩器主板
STC4614可替代其它品牌:STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614产品介绍STC4614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用如笔
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