stasnon 原厂STC4606规格参数NP30V 6.5A大量现货

    STANSONSTC4606可替代型号:

    STC4606替代Si4532CDY、AO4606、NCE4606、AO4616、AO4624、FDS8958、WSP4620、SM9435PSK、GF6706A、AO4627、AO4629、UD4606、UP2790


    STC4606产品介绍:
    stc4606是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管
    DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力
    并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用
    如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在高侧
    开关,低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的。

    STC4606 参数:
    N沟道
    30V / 6.9a,RDS(ON)=30mΩ(典型值
    @ VGS = 10V
    30V / 6.0A,RDS(ON)= 46mΩ
    @ VGS = 4.5V
    P沟道
    - 30V / -6.0a,RDS(上)= 51mΩ(典型值
    @ VGS = - 10V
    - 30V / -5.0a,RDS(上)= 70mΩ
    @ VGS = - 4.5V
    **高密度电池设计
    较低的RDS(on)
    特殊的阻力和较大
    直流电流的能力

    SOP-8封装



    司坦森集成电路(深圳)有限公司专注于STP6621,STN4438等

  • 词条

    词条说明

  • 闽台STANSON原厂现货STN4438 SOP-8 N60V 8.5A 应用于风扇

    STANSON 原厂STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述STN4438是N沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的采用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度过程是特别定制,以尽量减少对国家的阻力。这些器件特别适合于低电压应用,如电源管理和其他高侧开关的电池供电电路。特征60V / 8.2A,RDS(ON)= 25毫欧(典型值)@ VGS = 10V60V / 7.6A

  • STC4606 NP30V 6.5A 30mΩ SOP-8应用于电机可替代AO4606、NCE4606、AO4616

    STANSON 闽台司坦森原厂直销供货,库存长期充足, 价格优势,质量保证STANSONSTC4606可替代型号:STC4606替代Si4532CDY、AO4606、NCE4606、AO4616、AO4624、FDS8958、WSP4620、SM9435PSK、GF6706A、AO4627、AO4629、UD4606、UP2790STC4606产品介绍:stc4606是N和P沟道采用高密度增强型功

  • MOS管失效原因是什么?

    MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator) —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两 端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。目前在市场应用方面,排名**的是消费类电子电源适配器产

  • 闽台STANSON 专注MOS 13年STC4614 STP413D 原厂交货快

    STC4614可替代其它:STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614产品介绍STC4614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用如笔记本

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