STANSON原厂STP6621规格 P60V 10A 23mΩ SOP-8应用于扫地机

时间：2020-01-05

STP6621规格和产品介绍：

stp6621是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的
采用高密度，DMOS器件沟道技术。这种高密度
过程是特别定制，以尽量减少对国家的阻力。这些器件
特别适合于低电压应用，noteook电源管理和**
电池供电的电路中的高侧开关

特征
- 60V / -10.0a，RDS（上）= 23m??（典型值）
@ VGS = - 10V
- 60V / -8.0a RDS（ON）＝28m??
@ VGS = 4.5v
**高密度电池设计
较低的RDS（on）
特殊的阻力和较大
直流电流的能力
SOP-8封装设计

词条
词条说明
STN4828 N60V 10A STANSON 原厂替代Si4900、AO4828
STANSON/司坦森原厂 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY描述STN4828是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管是利用高密度，DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程，特别是量身定制，以尽量减少对状态的阻力。这些装置特别适合于低电压应用，笔记本电脑电源管理和其他电池供电的电路，高侧开关特征60V
MOS管STN2610 参数 N60V 50A 应用于电子测量仪器原厂库存足交货快
STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和栅较电荷。这些设备是适合作为负载开关或在应用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v**高密度电池设计较低的RDS（on）特殊的阻力和较大直流电流能力to-25
STC6301D
STC6301D是采用高电池密度的N+P双沟道增强模式电场效应晶体管mos战壕技术。这种高密度的过程特别适合将状态阻力降到低并提供优越的切换性能。这种装置特别适用于低压应用如电源管理，其中高侧开关、低在线功率损耗和暂态电阻是被需要的。特征N沟道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-沟道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v
企业文化
STANSON技术形成于1981年，业务集中于出口当时的半导体设备和零件。此后，她逐渐转型为材料和零部件销售。 1996年，由于市场需求，司坦森科技在闽台成立子公司，设计/开发半导体器件，如电晶体、莫斯菲特、二极管及IC设计。为了进一步加强对中国客户的支持，司坦森科技在闽台和深圳设立了销售办事处。司坦森提供各种规格的宽产品线的总电源解决方案。这包括监管者，如液晶显示器/电视、dsc、磁盘阵