STP9527替代AO4443、AO4485、Si4447ADY
描述
stp9527是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的
采用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度
工艺特别适合于较小化状态电阻。这些器件
特别适合于低电压应用,noteook电源管理和**
电池供电的电路中的高侧开关。
特征
- 40V / -10.0a,RDS(上)= 32ma(典型值)
@ VGS = -10V
- 40V / -8.0a,RDS(上)= 38ma
@ VGS = 4.5v
**高密度电池设计
较低的RDS(on)
异常电阻和较大值
直流电流的能力
SOP-8封装设计
词条
词条说明
STANSON原厂STP6621规格 P60V 10A 23mΩ SOP-8应用于扫地机
STP6621规格和产品介绍:stp6621是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的采用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度过程是特别定制,以尽量减少对国家的阻力。这些器件特别适合于低电压应用,noteook电源管理和**电池供电的电路中的高侧开关特征- 60V / -10.0a,RDS(上)= 23m??(典型值)@ VGS = - 10V- 60V / -8.0a RDS(ON)=28m??@
MOS管STN2610 参数 N60V 50A 应用于电子测量仪器 原厂库存足 交货快
STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和栅较电荷。这些设备是适合作为负载开关或在应用程序使用。特征60v / 10.0a,RDS(上)= 10mΩ(典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a,RDS(上)= 12m@ VGS = 4.5v**高密度电池设计较低的RDS(on)特殊的阻力和较大直流电流能力to-25
STN454D TO-252 N40V 10A 规格书 中文资料PDF
• 沟槽式场效电晶体 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si
STN4402参数 30V 12A 厂家直销MOS管场效应管
产品描述:STN4402是N沟道增强型功率场效应晶体管逻辑,它是利用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度过程是特别定制,以尽量减少工作时的阻力。这些器件特别适合于低电压应用,如电源管理和其他高侧开关的电池供电电路特征30V / 12A,RDS(ON)= 13MΩ(典型值)@ VGS = 10V30V/10A,RDS(ON)= 
公司名: 司坦森集成电路(深圳)有限公司
联系人: 唐二林
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