描述
stp4925是双P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑
使用的是高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度
过程是特别定制,以尽量减少对国家的阻力。这些器件
特别适合于低电压应用,笔记本电脑电源管理,
和其他电池供电的电路,高侧开关
特征
-30V / -7.2a,RDS(上)= 20mΩ(典型值
@ VGS = - 10V
-30V / -5.6a,RDS(上)= 25mΩ
@ VGS = 4.5v
**高密度电池设计
较低的RDS(on)
l特殊的阻力和较大值
直流电流的能力
SOP-8封装设计
词条
词条说明
STC4606 NP30V 6.5A 30mΩ SOP-8应用于电机可替代AO4606、NCE4606、AO4616
STANSON 闽台司坦森原厂直销供货,库存长期充足, 价格优势,质量保证STANSONSTC4606可替代型号:STC4606替代Si4532CDY、AO4606、NCE4606、AO4616、AO4624、FDS8958、WSP4620、SM9435PSK、GF6706A、AO4627、AO4629、UD4606、UP2790STC4606产品介绍:stc4606是N和P沟道采用高密度增强型功
STANSON技术形成于1981年,业务集中于出口当时的半导体设备和零件。此后,她逐渐转型为材料和零部件销售。 1996年,由于市场需求,司坦森科技在闽台成立子公司,设计/开发半导体器件,如电晶体、莫斯菲特、二极管及IC设计。 为了进一步加强对中国客户的支持,司坦森科技在闽台和深圳设立了销售办事处。 司坦森提供各种规格的宽产品线的总电源解决方案。这包括监管者, 如液晶显示器/电视、dsc、磁盘阵
STANSON品牌STC6614 双沟道NP60V 7A应用于风扇
STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK产品描述STC6614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力,并提供优越的开关性能.该装置特别适合于低电压应用如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在高侧开关,低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的。参数N沟道60V /10A,RDS(ON)= 35mΩ(典型值
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator) —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两 端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。目前在市场应用方面,排名**的是消费类电子电源适配器产
公司名: 司坦森集成电路(深圳)有限公司
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ST2300可替代SI2312 AO3416 AO3420 AP2302AGN PNMT20V06
STC4614 N+P 40V 10A STANSON原厂直销低压MOS管场效应管
STC6614 NP60V 7A 35mΩ ST2301A
STN4402 SOP-8 N30V 12A替代AO4702、Si4882、SM4832NSK、SM4838NSK、SN4839NSK、Si4128DY、AO4404B、UT4410、Si4894、
STP4407 P30V 12A 15mΩSTANSON原厂
闽台STANSON ST1002 N100V 3A 135mΩ
STANSON原厂 STN4526 N40V 10A 25mΩ
ST3426 N60V 3A 90mΩ