原厂STC4614 规格NP40V 10A 25mΩ SOP-8应用于按摩器主板

时间：2020-03-03

作者：司坦森集成电路（深圳）有限公司

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台产MOS管 STN4438 参数N60V 8.5A用于风扇原厂交货快
STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述stn4438是N沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的采用高密度，DMOS器件沟道技术。这种高密度过程是特别定制，以尽量减少对国家的阻力。这些器件特别适合于低电压应用，如电源管理和其他高侧开关的电池供电电路。特征60V / 8.2A，RDS（ON）= 25毫欧（典型值）@ VGS = 10V60V / 7.6A，RDS（ON）＝3
STN4402参数 30V 12A 厂家直销MOS管场效应管
产品描述：STN4402是N沟道增强型功率场效应晶体管逻辑，它是利用高密度，DMOS器件沟道技术。这种高密度过程是特别定制，以尽量减少工作时的阻力。这些器件特别适合于低电压应用，如电源管理和其他高侧开关的电池供电电路特征30V / 12A，RDS（ON）= 13MΩ（典型值）@ VGS = 10V30V／10A，RDS（ON）=
STC6301D
STC6301D是采用高电池密度的N+P双沟道增强模式电场效应晶体管mos战壕技术。这种高密度的过程特别适合将状态阻力降到低并提供优越的切换性能。这种装置特别适用于低压应用如电源管理，其中高侧开关、低在线功率损耗和暂态电阻是被需要的。特征N沟道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-沟道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v
STANSON 贴片MOS STN442D 规格书N60V 37A 应用于按摩椅主板原厂直销交货快
STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442描述STN442D使用沟槽技术，提供优良的RDS（ON）和栅较电荷。这些设备是适合作为负载开关或在应用程序使用。特征60V / 20.0a，RDS（上）= 24mΩ（典型值@ VGS = 10V60V / 20.0a，RDS（上）= 31mΩ@ VGS = 4.5V**高密度电池设计较低的RDS（on）特殊的阻力和较大直流电流能力TO-2