STANSON 闽台司坦森原厂直销 长期库存充足,价格优美,质量保证
STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903
STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4
说明
STC4301d是采用高电池密度的n&p沟道增强模式电场效应晶体管
dmos战壕技术。这种高密度的过程特别适合将状态阻力降到低
并提供优越的切换性能。这种装置特别适用于低压应用
如电源管理,其中高侧开关、低在线功率损耗和暂态电阻
是需要的。
特征
N沟道
40v/12.0a,RDS(ON)=25毫欧
@vgs=10v
40v/10.0a,RDS(ON)=32毫欧
@vgs=4.5v
P沟首
-40v/-8.0a,RDS(ON)=40毫欧
@vgs=-10v
-40v/-4.0a,RDS(ON)=65毫欧
@vgs=-4.5v
**高密度电池设计
较低的RDS(ON)
异常阻力和大阻力
直流电流能力
TO-252-4L封装
详细规格书说明::
词条
词条说明
STC6301D 替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU
STANSON 闽台司坦森原厂直销 长期库存充足,价格优美,质量保证STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4说明STC6301d是采用高电池密度的n&p通道增强模式电场效应晶体管mos战壕技术。这种高密度的过程特别适合将状态阻力降到较低并提供优越的切换性能。这种装置特别适用于低压应用如电源管理,其
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator) —半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两 端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。目前在市场应用方面,排名**的是消费类电子电源适配器产
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公司名: 司坦森集成电路(深圳)有限公司
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