STC4614可替代其它:
STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、
STC4614产品介绍
STC4614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管
DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力
并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用
如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在高侧
开关,低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的
STC4614 产品参数
N沟道
40V/10.0A,RDS(ON)= 25mΩ(典型值)
@ VGS = 10V
40V/6A,RDS(ON)= 32mΩ
@ VGS = 4.5V
P沟道
- 40V / -10.0a,RDS(上)= 37mΩ(典型值
@ VGS = - 10V
- 40V / -5.0a,RDS(上)= 43mΩ
@ VGS = - 4.5V
**高密度电池设计
较低的RDS(on)
特殊的阻力和大
直流电流的能力
SOP-8封装
词条
词条说明
台产STC4614 NP40V 10A可替代Si4567 AO4614A Si4599DY Si4564DY原厂库存充足
STANSON 闽台司坦森原厂直销供货,库存充足,价格优势,质量保证STC4614可替代其它品牌:STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614产品介绍STC4614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量
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公司名: 司坦森集成电路(深圳)有限公司
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