• 沟槽式场效电晶体 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252) | |||||||||||||||||||
Part No. | TYPE | VDSS | VGS | VTH | IDS | RDS(Max) | PD | Package | Data Sheet | ||||||||||
Min | Max | 25°C | 10V | 4.5V | 2.5V | 1.8V | 5.0V | 25°C | |||||||||||
V | V | V | V | A | m Ω | m Ω | m Ω | m Ω | m Ω | W | |||||||||
STN454D | N | 40 | 20 | 1 | 3 | 10 | 25 | 30 | - | - | - | 50 | TO-252 | Bitmap |
ST9435A替代Si9435、Si4431、AO4405、FDS9435、UT9435H、AO4459 |
STC4606替代Si4532CDY、AO4606、NCE4606、AO4616、AO4624、FDS8958、WSP4620、SM9435PSK、GF6706A、AO4627、AO4629、UD4606、UP2790,MT4607 |
STC4614替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、 |
STN1810替代Si4102DY、Si4100DY、SM1A54NHK、AO4886、AO4286、AO4292E |
STN4402替代AP4800AGM 、XZN4420、IRF7413、FDS6630A、Si4420、APM4820、AO4468、AO4566、AO4702、Si4882、SM4832NSK、SM4838NSK、SN4839NSK、Si4820、Si4128DY、AO4404B、UT4410、Si4894、AO4404、SM4850NSK、UT4422、AO4466、FDS6614A、FDS6680、FDS6924 |
STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK |
STN4488L替代AO4410、SI7898DP、AO4302、IRF7832、AO4728L、UT4430、Si4162DY、AO4498E、AO4494、AO4576、SM4831NAK、AO4430、AO4488、AO4498、AO4444 |
STP4441替代AO4421、AO4441、Si9407BDY、SM6105PSK、SM6106PSK、SM6107PSK |
STN4526替代AO4450、AO4484、UT4450、 |
STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY |
STN4826替代Si9945BDY、Si4946CDY |
STP6625替代Si4948BEY |
STP9527替代AO4443、AO4485、Si4447ADY |
STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK |
STP4925替代AO4803、AO4803A、AO4807、AO4813、UT4957、Si4925DDY、 |
STN4260替代AO4264E、AO4262E、SM6128NSK |
STN4480替代AO4306、AO4492、SM4029NSK、SM4037NHK、 |
STN4920替代Si4920、AO4812、UT4812Z、Si4936CDY、SM4805DSK、AO4862、 |
STN4130替代AOD4130 |
STN8882D替代AOD4132、SUD50N024、AOD452、FDD7030BL、LR3103、IRFR3707、AOD528、AOD558 |
STP4407替代APM4315K、AO4407、AO4335、Si4435DDY、 |
STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459 |
STP4953替代Si4953、AO4803、FDS8958、APM4953 |
ST18ADN替代TDM3458、SIS612EDNT-T1-GE3、 |
ST16N10替代APM1110NUB、IRLR/U120NPbF、CEU12N10L、UT12N10、2SK2504 |
ST13P10替代SFR9120、AM1A16PSU、IRF9530、 |
STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442、 |
STC4301D替代AOD606、AO609,FKD4903 |
STC6301D替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU4 |
STN410D替代AOD400、AOD410、AOD420 |
STN2610D替代AOD2610E、AO442G、50N06、NCE6050K |
STN454D替代AOD454D、UTD454 |
STN484D替代AOD480、UTD484、UTD20N03 |
ST36N10D替代AOD2910、AOD482、25N10、AOD482 |
STN4186替代AOD488、UT40N04 |
STP413D替代AOD413A、UT5504、UTD413 |
词条
词条说明
STANSON STN4402 30V 12A 原厂直销应用于遛狗器
STN4402替代AP4800AGM 、XZN4420、IRF7413、FDS6630A、 Si4420、APM4820、AO4468、AO4566、AO4702、Si4882、SM4832NSK、SM4838NSK、SN4839NSK、Si4820、Si4128DY、AO4404B、UT4410、Si4894AO4404、SM4850NSK、UT4422、AO4466、FDS6614A
闽台STANSON 专注MOS 13年STC4614 STP413D 原厂交货快
STC4614可替代其它:STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614产品介绍STC4614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用如笔记本
台产MOS管 STN4438 参数N60V 8.5A用于风扇 原厂交货快
STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述stn4438是N沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的采用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度过程是特别定制,以尽量减少对国家的阻力。这些器件特别适合于低电压应用,如电源管理和其他高侧开关的电池供电电路。特征60V / 8.2A,RDS(ON)= 25毫欧(典型值)@ VGS = 10V60V / 7.6A,RDS(ON)=3
MOS管STN2610 参数 N60V 50A 应用于电子测量仪器 原厂库存足 交货快
STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用沟槽技术,提供优良的RDS(ON)和栅较电荷。这些设备是适合作为负载开关或在应用程序使用。特征60v / 10.0a,RDS(上)= 10mΩ(典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a,RDS(上)= 12m@ VGS = 4.5v**高密度电池设计较低的RDS(on)特殊的阻力和较大直流电流能力to-25
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