场效应管和复合晶体管分类与介绍

时间：2020-05-25作者：深圳市维品佳科技有限公司浏览：150

场效应管和复合晶体管是什么概念

场效应管（Field Effect Transistor, FET）5N60F 是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。三管称电流控制元件；场效应管称电压控制元件。场效应管具有输入电阻高（高可达1015Ω）、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省等优点。复合晶体管是指把几个晶体管或电阻器连接起来而构成具有一定功能的集成器件。常用的复合晶体管有达林顿管、绝缘栅双晶闸管（IGBT）和带阻三管等。




场效应管的分类场效应管分为结型和绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管（JGFET）则因有栅（闸）与其他电绝缘而得名。结型场效应管分为N沟道和P沟道两种；绝缘栅型场效应管除有N沟道和P沟道之分外，还有增强型和耗尽型之分。


目前在场效应管中，应用为广泛的是绝缘栅型场效应管，简称MOS管或MOSFET。此外，还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管及VMOS功率模块等。P沟道场效应管的工作原理与N沟道场效应管相同，只不过导电的载流子不同，供电电压性不同，这如同双性三管有NPN型和PNP型一样，对于结型场效应管而言，漏和源可以互换。



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