图1:MiniSKiiP装配示意图
图2:MiniSKiiP系列封装
MiniSKiiP可以提供电机驱动应用的所有拓扑,如CIB(变流器-逆变器-制动器,即整流器、电机逆变器和制动斩波器)和带有独立整流器和制动斩波器模块的三相全桥,实现了从0.4kW到110kW输出功率的完全可扩展的变频器设计。相关电压等级包括:600V/650V、1200V和1700V,支持200VAC、400VAC甚至690VAC电压等级的电机驱动应用。在整流器方面,设计者可以选择不控、半控或者全控晶闸管模块。
在整个功率和电压范围内,MiniSKiiP的易安装和扩展性都可以给客户带来成本优势。另一个显著的优势在于产品的品质保证,每一个MiniSKiiP出厂时都经过**的电气测试。
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词条说明
IGBT工作特性静态特性IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性。IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏较电流与栅较电压之间的关系曲线。输出漏较电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区,则正反
可控硅结构大家使用的是单向晶闸管,也就是人们常说的普通晶闸管,它是由四层半导体材料组成的,有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:**层P型半导体引出的电极叫阳极A,*三层P型半导体引出的电极叫控制较G,*四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,关键是多了一个控制较G,这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。以硅单晶为基
测试可控硅模块的升温3个方法可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。较早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。1、可控硅模块环境温度的测定:在距被测可控硅模块表面1.5m处放置温度计,温度计测点距地面的高度与减速机轴心线等高,温度计的放置应不受外来辐射热与气流的影响,环
IGBT原理方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然较新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高
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