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IGBT的工作原理IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然较新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术
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富士IGBT是一种功率半导体器件,具有以下优势特点:高功率密度:富士IGBT具有良好的导通和关断特性,可以实现高功率输出,有助于减小器件尺寸和重量。低导通压降:富士IGBT具有低导通压降,使其在开关状态下具有较低的能耗和功率损耗,有助于提高器件和系统的效率。快速开关速度:富士IGBT的开关速度较快,能够实现快速的开关操作,有助于减小开关损耗和提高系统响应速度。可靠性高:富士IGBT采用高质量的材料
IGBT 的驱动和保护进行了分析,结合实际应用,得出了如下几点结论:1. 栅较串联电阻和驱动电路内阻抗对 IGBT 的开通过程及驱动脉冲的波形都有很大影响。设计时应综合考虑。2. 在大电感负载下,IGBT 的开关时间不能太短,以限制出 di/dt 形成的尖峰电压,确保 IGBT 的安全。3. 由于 IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合,故驱动电路与控制电路在电位上应严格隔离,驱动电路与 IGB
公司名: 深圳市宝安区诚芯源电子商行
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