AE2359是一种具有内置功率MOSFET的电流模式降压转换器,以实现较小的解决方案大小的功率转换。使用低系列电阻功率开关,它可以在广泛的输入电源范围内实现高达1.2A的恒定输出电流。负载和线路调节在工作输入电压和温度范围内具有良好的响应时间。AE2359通过逐个循环的电流限制算法和芯片上的热保护进行自保护。AE2359将提供低广泛可用标准外部组件的电压转换。 特征 VIN 4.75V至24V 负载电流高达1.2A 内功率MOSFET 稳定的低ESR陶瓷输出电容器 高达90%的效率 0.1μA关机模式 固定1.4MHz频率 热关机 逐周期过电流保护 电阻分压器可调输出:0.81V至15V SOT26封装,无铅表面处理/符合RoHS标准 应用 分布式电力系统 电池充电器 线性调节器的前置调节器 世界各地的司机
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TPS54331设备是一个28V,3-非同步压力转换器,集成了一个低RDS(开)高侧MOSFET。为了提高光负载下的效率,将将脉冲跳变生态模式功能自动激活。此外,1-μA关机电源电流允许该设备用于电池供电的应用程序。具有内部斜率补偿的电流模式控制简化了外部补偿计算,减少了组件计数,同时允许使用陶瓷输出电容器。一个电阻分压器编程的输入低电压锁定的迟滞。过电压瞬态保护电路限制了在启动和瞬态条件下的电压
供应ULN2803ADWR 全新原装 SOIC-18封装 8通道达林顿晶体管阵列芯片
描述ULN2803A设备是一个50V,500mA的达灵顿晶体管阵列。该设备由8对NPN达灵顿对组成,它们具有高压输出和共阴极钳位二极管来开关感应负载。每对达灵顿的收集器电流额定电流为500mA。达灵顿对可以并行连接,以获得更高的电流能力。 应用程序包括继电器驱动器、锤式驱动器、灯驱动器、显示驱动器(LED和气体放电)、线路驱动器和逻辑缓冲器。ULN2803A设备为每个达灵顿对都有一个2.7kΩ系列
BSP250 P通道增强模式垂直D-MOS晶体管 具有高速开关,**次故障,非常低的电阻。应用于低损耗电机和执行器驱动器的电源开关。 描述SOT223塑料SMD封装中的P通道增强模式垂直D-MOS晶体管。 根据**较大额定系统(IEC134)。 注1。脉冲宽度和占空比受较大结温度的限制。 2.装置安装在环氧树脂印刷电路板上,40×40×1.5mm;排水管的安装垫至少6cm2。符号参数条件为较小值。
原装正品 MT40A512M8RH-083E:B 封装FBGA-78 储存器芯片IC
描述 DDR4sdram是一种高速动态随机存取存储器,其内部配置为用于x16配置的8行DRAM和用于x4和x8配置的16行DRAM。DDR4sdram使用8n-预取架构来实现高速操作。8n-预取体系结构与一个接口相结合,该接口被设计用于在输入/输出引针的每个时钟周期上传输两个数据字。 针对DDR4sdram的单个READ或写入操作包括在内部DRAM核心的单个8n位宽、四时钟数据传输和在I/O针脚的
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原装正品 贴片 LMBT3904LT1G 1AM LMBT3906LT1G 2A NPN/PNP晶体管
LAN9252I/PT TQFP64 全新原装以太网控制器芯片
正品STM32F030C8T6芯片 C6T6 K6T6 CCT6 R8T6 RCT6 STM32F030F4P6 STM32F030全系列芯片 原装正品 现货库存!
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全新原装 IMP809SEUR/T 封装SOT23-3 MCU微处理器复位电路
RTL8111H-CG QFN-32以太网控制器芯片 rtl8111h 网卡驱动器IC芯片
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