描述TP4056 是一款完整的单节离子电池采用恒定电流/恒定电压线性充电器。其底部 带有散热片的ESOP8/EMSOP8封装与较少的外部元件数目使得TP4056成为便携式应用 的理想选择。TP4056 可以适合 USB 电源和适配器电源工作。 由于采用了内部 PMOSFET 架构,加上防倒充电路,所以不需要外部隔离二极管。 热反馈可对充电电流进行自动调节,以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度 加以限制。充电电压固定于 4.2V,而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。 当充电 电流在达到较终浮充电压之后降至设定值 1/10 时,TP4056 将自动终止充电循环。 当输入电压(交流适配器或 USB 电源)被拿掉时,TP4056 自动进入一个低电流状 态,将电池漏电流降至 2uA 以下。TP4056 在有电源时也可置于停机模式,以而将供电 电流降至 55uA。TP4056 的其他特点包括电池温度检测、欠压闭锁、自动再充电和两个 用于指示充电、结束的 LED 状态引脚。 特点 ·高达 1000mA 的可编程充电电流 ·* MOSFET、检测电阻器或隔离二极管 ·用于单节离子电池、采用 ESOP 封装的完整 线性充电器 ·恒定电流/恒定电压操作,并具有可在无过热 危险的情况下实现充电速率较大化的热调节 功能 ·精度达到±1%的 4.2V 预设充电电压 ·用于电池电量检测的充电电流监控器输出 ·自动再充电 ·充电状态双输出、无电池和故障状态显示 ·C/10 充电终止 ·待机模式下的供电电流为 55uA ·2.9V涓流充电 ·软启动限制了浪涌电流 ·电池温度监测功能 ·采用 8 引脚 ESOP/EMSOP 封装。 **较大额定值 ·输入电源电压(VCC):-0.3V~8V ·PROG:-0.3V~VCC+0.3V ·BAT:-0.3V~7V ·TEMP:-0.3V~10V ·CE:-0.3V~10V ·BAT 短路持续时间:连续 ·BAT 引脚电流:1200mA ·PROG 引脚电流:1200uA ·较大结温:145℃ ·工作环境温度范围:-40℃~85℃ ·贮存温度范围:-65℃~125℃ ·引脚温度(焊接时间 10 秒):260℃
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词条说明
供应 原装正品 SN65HVD82DR SOIC-8 RS-485 收发器芯片
该设备具有健壮的驱动程序和接收器,可用于要求苛刻的工业应用。总线引脚对ESD事件非常强大,对人体模型、气隙排放和接触放电规范具有高水平的保护作用。 该设备结合了一个差速器驱动器和一个差速器接收器,它从一个单一的5V电源操作。驱动器差分输出和接收器差分输入在内部连接,形成适合于半双工(双线总线)通信的总线端口。该设备具有广泛的共模电压范围,使该设备适用于长电缆运行的多点应用。该装置的特征为从-40
供应 全新原装 MCIMX6Q5EYM10AD BGA624 嵌入式-微处理器
特征 i.MX 6Dual/6Quad处理器基于ARM Cortex-A9 MPCore平台,该平台具有 以下特点: •ARM Cortex-A9 MPCore 4xCPU处理器(带TrustZone®) •核心配置是对称的,其中每个核心包括: -32 KB一级指令缓存 -32kbyte一级数据缓存 -私人定时器和看门狗 -Cortex-A9 NEON MPE(媒体处理引擎)协处理器 手臂皮质-A
FDMT80080DC 规格信息: 制造商:ON Semiconductor 产品种类:MOSFET RoHS:是 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:Power-33-8 通道数量:2 Channel 晶体管极性:N-Channel Vds-漏源较击穿电压:80 V Id-连续漏较电流:36 A Rds On-漏源导通电阻:1.06 mOhms Vgs th-栅源较阈值电压:3
供应 全新原装 EM6AA160TSE-5G EM6AA160 内存 闪存芯片
EM6AA160 SDRAM是一种高速CMOS双数据速率同步DRAM,包含256Mbit。 它在内部配置为一个4米x 16的DRAM,带有一个同步接口(所有信号都记录在时钟信号CK的正边缘)。 数据输出发生在CK和CK的上升沿。对SDRAM的读写访问是面向突发的;访问从选定的位置开始,然后按编程顺序继续访问编程的多个位置。 访问首先注册BankActivate命令,然后是读或写命令。EM6AA16
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全新原装 MAX3232ESE+T SOIC-16 贴片 芯片 RS232 收发器
原装正品 贴片 TLC2252AIDR SOIC-8 运算放大器 低功耗运放
原装正品 ADS8317IDGKR ADS8317IDGKT 模数转换器MSOP-8
进口原装 AC8830ICD DAC8830I 贴片SOP8 16位数模转换器
FT60F010A SOT-23 FT60F010A-URT FMD 全新原装现货 FMD辉茫微
AOS/美国万代 优势 AON6482 AOS原装优势 MOS管
全新原装 STM32F103RCT6 STM32F103R8T6 GD32F103RCT6 微控制器芯片
全新原装 进口 STM8L151F3U6TR低功耗8位机芯片UFQFPN20封装
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