该系列中可用的片上模块包括以下功能: •S12 CPU核心 •高达240 KB的带ECC的片上闪存 •带ECC的高达4 KB的EEPROM •高达11千字节的片上SRAM •带内部滤波器的锁相环(IPLL)倍频器 •4–16 MHz振幅控制皮尔斯振荡器 •1 MHz内部RC振荡器 •定时器模块(TIM)支持较多八个通道,提供16位输入捕获范围, 输出比较、计数器和脉冲累加器功能 •脉冲宽度调制(PWM)模块,较多具有八个8位通道 •高达16通道、10或12位分辨率逐次逼近模数转换器 (艺发局) •较多两个8位数模转换器(DAC) •较多一个5V模拟比较器(ACMP) •较多三个串行外围接口(SPI)模块 •较多三个支持LIN通信的串行通信接口(SCI)模块 •较多一个多可扩展控制器局域网(MSCAN)模块(支持CAN协议2.0A/B) •用于调节输入电源和所有内部电压的片上电压调节器(VREG) •自动周期中断(API) •用于ADC转换的精密固定电压基准 •可选参考电压衰减器模块,以提高ADC精度 S12 16位*处理器单元(CPU) S12 CPU是一个高速16位处理单元: •完整的16位数据路径支持高效算术运算和高速数学执行 •包括许多单字节指令。这样可以更有效地使用ROM空间。 •广泛的索引寻址功能集,包括: -在所有索引操作中将堆栈指针用作索引寄存器 -在除自动递增/递减模式外的所有模式下,将程序计数器用作索引寄存器 -使用A、B或D蓄能器的蓄能器偏移 -自动索引预减量、预增量、后减量和后增量(按–8到+8) 带ECC的片上闪存 MC9S12G系列的片上闪存具有以下特点: •高达240 KB的程序闪存 -32位数据加7位综合征ECC(纠错码)位允许单位纠错 双故障检测 -擦除扇区大小512字节 -自动编程和擦除算法 -读取的用户页边距级别设置 -防止意外编程或擦除的保护方案 •高达4千字节的EEPROM -16个数据位加6个综合征ECC(纠错码)位允许单位纠错 双故障检测 -擦除扇区大小4字节 -自动编程和擦除算法 -读取的用户页边距级别设置
词条
词条说明
FT24C04A/08A/16A系列是4096/8192/16384位的串行电气可擦除和可编程只读存储器,通常称为EEPROM。 它们被组织为512/1024/2048个单词,每个单词为8位(1字节)。该设备采用专有的先进CMOS工艺制造,用于低功率和低压应用。 这些设备可提供标准的8铅DIP、8铅SOP、8铅TSSOP、8铅DFN、8铅MSOP和5铅SOT-23/TSOT-23包装。 一个标准的
原装正品TUSB522PRGER TUSB522PIRGER QFN24转接驱动器缓冲器芯片
说明 TUSB522P 是一款支持 5Gbps 数据传输速率的*四代 双单工通道 USB 3.1 GEN 1 转接驱动器和信号调节 器。该器件采用**低功耗架构,在由 3.3V 电源供电运 行时功耗非常低。转接驱动器还支持 USB 3.1 低功耗 模式,可进一步降低空闲状态下的功耗。 双通道能力使得该系统能够在发送和接收数据路径上保 持信号的完整性。接收器均衡有三种增益设置,用以克 服插入损耗和码间
SN74HC245DBR 74HC245DWR 74HC245NSR 74HC245PWR 全新原装 HC245N逻辑芯片 八路总线收发器 具有三态输出
SN74HC245NSR 特征 1•2 V至6 V的宽工作电压范围 •高电流3状态输出驱动总线 直接或较多15个LSTL负载 •低功耗,较大电流为80μA •典型tpd=12纳秒 •5 V时的±6 mA输出驱动 •较大1μA的低输入电流 •在符合MIL-PRF-38535的产品上, 除非另有说明,否则所有参数均经过测试 注意。在所有其他产品上,生产 处理不一定包括测试 在所有参数中。 应用 •服务
供应全新原装 MM32F003TW TSSOP-20 32位基于ARM MO核心微控制器
本产品使用高性能的 ARM® CortexTM-M0 为内核的 32 位微控制器,较高工作频率可达 48MHz,内置高速存储器,丰富的增强型 I/O 端口和外设连接到外部总线。本产品包含 1 个 12 位的 ADC、1 个 16 位通用定时器、1 个 32 位通用定时器、3 个 16 位基本定时器、1 个 16 位高级定时器。还包含标准的通信接口:1 个 I2C 接口、1 个 SPI 接口和 1
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