供应STF24N60DM2 直插TO-220F N 600V18A MOS场效应管

时间：2021-12-03

STF24N60DM2
规格信息：
制造商:STMicroelectronics
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源较击穿电压:600 V
Id-连续漏较电流:18 A
Rds On-漏源导通电阻:175 mOhms
Vgs th-栅源较阈值电压:3 V
Vgs - 栅较-源较电压:25 V
Qg-栅较电荷:29 nC
较小工作温度:- 55 C
较大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:30 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:MDmesh
系列:STF24N60DM2
晶体管类型:1 N-Channel
商标:STMicroelectronics
下降时间:15 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8.7 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:60 ns
典型接通延迟时间:15 ns
单位重量:330 mg

描述
      这种高压n通道电源MOSFET是MDmesh™DM2快速恢复二极管系列的一部分。它提供了非常低的回收费用(Qrr)和时间(trr)结合低RDS(on)，使它适合要求较高的高效转换器，理想的桥接拓扑和ZVS相移转换器。
 
 快恢复体二极管

 较低的栅较电荷和输入

电容

 低导通电阻

 **雪崩测试

 较高的dv/dt耐用性

 齐纳保护

应用

 交换应用

词条
词条说明
原装正品贴片 TPS70950DBVR SOT23-5 丝印SDH 低压差稳压芯片
1 特性 • **低 IQ：1μA • 反向电流保护 • 低 I 关断：150nA • 输入电压范围：2.7 V 至 30 V • 支持 200mA 峰值输出 • 在工作温度范围内的精度为 2% • 可提供固定输出电压： 1.2 V 至 6.5 V • 热关断保护和过流保护 • 封装：SOT-23-5、WSON-6 2 应用 • 烟雾和热量探测器 • 恒温器 • 运动检测器（PIR、uWave 等）
供应全新TPS564201DDCR 输入4A 输出同步降压转换器丝印4201
说明 TPS564201 是一款采用 SOT-23 封装的简单易用型4A 同步降压转换器。该器件经过优化，较大限度地减少了运行所需的外部组件并且可以实现低待机电流。这些开关模式电源 (SMPS) 器件采用 D-CAP2 模式控制，能够提供快速瞬态响应，并且在*外部补偿组件的情况下支持诸如高分子聚合物等低等效串联电阻(ESR) 输出电容以及**低 ESR 陶瓷电容器。 TPS564201
供应原装正品 STP24N60DM2 封装TO-220 600V24A MOS场效应管
描述这些FDmeshII+™低Qg功率MOSFETs与固有的快速恢复体二极管生产使用新一代的MDmesh™技术：MDmeshII+™低Qg。这些革命性的电力模块将垂直结构与公司的带布局联系在一起，产生世界上较低电阻和门电荷之一。因此，它们适用于要求较高的高效转换器，以及理想的桥接拓扑和ZVS相移转换器。 n-通道600V，0.175Ωtyp.，18AFDmeshII+™低Qg功率MOSFETs在
供应全新原装TCAN1044VDRQ1 贴片SOP8 丝印1044V CAN汽车级收发器芯片
说明 TCAN1044-Q1 是一款符合 ISO 11898-2:2016 高速CAN 规范物理层要求的高速控制器局域网 (CAN) 收发器。 TCAN1044-Q1 收发器支持传统 CAN 和 C