三氧化二镓(Ga2O3)是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景 ,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器。 Singisetti教授和他的学生(Ke Zang和Abhishek Vaidya)制造了一个由5微米的、由氧化镓制成的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),而一张纸的厚度约为100微米。 其他研究人员也正在研究氧化镓。在AIP出版社发表在应用物理快报上的一篇文章中,作者Higashiwaki和Jessen概述了使用氧化镓生产微电子的案例。作者专注于场效应晶体管(FET),这些器件可以从氧化镓的大临界电场强度中获益。Jessen所说的质量可以实现具有更小几何结构的FET的设计以及可以破坏任何其他FET材料的侵蚀性掺杂分布。 “微电子世界较大的缺点之一就是充分利用电源:设计人员总是希望减少过多的电力消耗和不必要的热量产生,”空军研究实验室的**电子工程师Gregg Jessen说。“通常,您可以通过缩小设备来实现此目的。但是,目前使用的技术已经接近其许多应用所需的工作电压极限。它们受到了临界电场强度的限制。” 该材料在各种应用中的灵活性源于其广泛的可能导电性,由于其电场强度,从高导电性到非常绝缘性和高击穿电压能力。因此,氧化镓可以达到较端程度。大面积的氧化镓晶圆也可以从熔体中生长,从而降低了制造成本。
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铋主要用于制造易熔合金和消防装置、自动喷水器、锅炉的安全塞,铋作为可安全使用的“绿色金属”,除用于医药行业外,也广泛应用于半导体、**导体、阻燃剂、颜料、化妆品、化学试剂、电子陶瓷等领域,大有取代铅、锑、镉汞等有毒元素的趋势。铋及其化合物用于制造低熔点合金,作为冶金添加剂,也用于医药、化工等部门。 1,组成铋基低熔点合金:铋与铅、锡、镉、铟组成一系列低熔点合金,制作电器保险器、自动装置讯号器材等;铋
铋粉传统的生产方法有水雾法,气雾化法和球磨法;水雾法在水中雾化及烘干时,因铋粉的表面积大易造成铋氧化;同样,气雾化法在高温下,铋与氧接触也易造成大量氧化;两种方法均造成杂质多,铋粉末形状不规则,颗粒分布不均匀。而球磨法是:人工用不锈钢锤击铋锭至≤10mm的铋粒,或者用水淬铋。然后铋粒进入有真空环境,陶瓷橡胶为内衬的球磨机粉碎,这种方法虽然在真空中球磨,氧化少,杂质低,但费工费时,产率低,成本高,颗
三氧化二镓(Ga2O3)是一种宽禁带半导体,Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料,在光电子器件方面有广阔的应用前景 ,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器。 Singisetti教授和他的学生(Ke Zang和Abhishek Vaidya)制造了一个由5微米的、由氧化镓制成的金属氧化物半
三氧化二铋的合成方法有很多,不同工艺各有优劣,列举如下: 1.向硝酸铋溶液(80~90 ℃)中滴加不含二氧化碳的氢氧化钠水溶液,使其混合。溶液在沉淀过程中保持碱性,生成白色、体积膨胀的氧化铋水合物Bi(OH)3沉淀,将此溶液加热,短时搅拌就脱水变为黄色三氧化二铋。经水倾析洗涤,过滤,干燥,制得氧化铋成品。 2.在氮气气氛下,向溶解于1mol/L硝酸的0.1mol/L硝酸铋溶液中(在80~90℃)滴
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