射频器件是无线通信设备的基础性零部件,在无线通信中扮演着两个重要的角色:首先是在****信号的过程中,能将二进制信号转换成高频率的无线电磁波信号;其次是在接收信号的过程中,能将收到的电磁波信号转换成二进制数字信号。射频前端主要包括射频开关、滤波器、双工器、PA(功率放大器)、LNA(低噪声放大器)等器件。 而近年来,**射频开关市场保持快速增长态势。射频开关,又称为微波开关,它是构成射频前端的一种芯片,主要作用在于通过控制逻辑,实现对不同方向(接收或****)、不同频率的信号进行切换,以达到共用天线、节省终端产品成本的目的。按照刀数和掷数,射频开关可以分为单刀单掷(SPST)、单刀双掷(SPDT)、单刀多掷(SPNT)、多到多掷(NPNT)。接下来我们就来讲一讲如何选择合适的射频开关。 CKRF2179MM26是pHEMT GaAs SPDT(单刀双掷)开关。这设备运行频率为0.05 ~ 3.0GHz,具有低插入损耗和高隔离性。 AS179-92LF是一种pHEMT GaAs FET单刀双掷开关。该装置具有插入损耗小、正极好等特点较低直流功耗的电压操作,低成本封装sc70-6(2.00 x 1.25 mm)。 UPG2179TB是日本RENESAS生产的砷化镓MMIC L s波段领域开关(单刀双掷)。该装置的工作电压为2.5 ~ 5.3 V。这个装置的工作范围从0.05到3.0 GHz,低插入损耗,高隔离。但是目前已经停产,新产品不作主推。 PE4259 UltraCMOS RF开关的设计涵盖10MHz的广泛应用范围通过3000 MHz。这个反射开关板载CMOS低电压控制逻辑cmos兼容的控制接口,并可以使用单引脚或互补控制控制输入。使用标称+3V电源电压,一个典型的输入1dB的压缩点+33.5 dBm可以实现。PE4259是在Peregrine 's上生产的**微半导体工艺,硅的**变种蓝宝石上的绝缘体(SOI)技术衬底,提供了砷化镓的性能传统CMOS的经济性和集成度。 ATR5179是动能世纪的一款采用 pHEMT GaAs 工艺制作的单刀双掷开关单芯片,芯片内部电路结构简单,该芯片的推荐工作频率为 20MHz-4GHz,开关芯片采用单电源 供电控制,有非常低的电流功耗,开关开启工作时有非常低的插入损耗。 性能参数对比: 结语:从以上AS179-92、PE4259、CKRF2179MM26等各类射频开关选型对比分析,这几款射频开关相对来说,目前ATR5179的性价比是比较高的,行业内的使用体量也不少,各厂家可以根据对应的产品相应地选择适合自己产品的射频开关。另外,未来随着封装尺寸的减小,整体射频器件也呈现出模组化的趋势,未来射频开关性能和单机价值量有望进一步提升。
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传统的机械锁具已走过了近**历史,其功能及性能几乎已诠释到了较致。但仍不能满足现代人们对锁具有高可靠性、高安全性、信息化、智能化的要求,自50年代末,半导体技术问世后,人们便将该技术应用于锁具上,衍生出了形形色色、功能丰富的电子锁具。动能世纪的智能门锁方案是基于13.56MHz的近场无线通信技术,采用RJM8L151+SI522A**低功耗读卡方案,广泛用于智能门锁、柜锁、箱包锁等设备上。应用场景:
在未来的很长一段时间内,智慧照明都将是整个物联网的重要发展领域。现在还只是智慧照明发展的初期,很多应用场景都还处在探索阶段,适应物联网时代需求的芯片必须是远**目前市面**通芯片的规格标准的,这样才能减少客户做定制化开发时遇到的硬件方面的瓶颈。其次,针对照明市场而言,消费者短时间内很难改变对灯具‘低价格耐用消费品’的心理定位,我们现在的思路就是尽可能把价格做低,整个照明市场才有起量的可能,才能普及
公司新推出的DP4301是一款高性能低功耗的单片集成收发机,工作频率可覆盖470MHz~510MHz,并兼容ISM 433MHz频段。该芯片集成了射频接收器、射频发射器、频率综合器、GFSK调制器、GFSK解调器等功能模块。通过SPI接口可以对输出功率、频道选择以及数据包格式进行灵活配置,并且内置CRC、FEC、自动应答和自动重传机制,可以大大简化系统设计并优化性能。 芯片为时分双工收发器(TDD
较大电流1A,峰值电流1.1A单节锂离子电池充电芯片DP4056使用注意事项
DP4056 是一款完整的单节锂离子电池采用恒定电流/恒定电压线性充电器。其底部带有散热片ESOP8/EMSOP8封装与较少的外部元件数目使得DP4056成为便携式应用的理想选择。DP4056 可以适合 USB 电源和适配器电源工作。由于采用了内部PMOSFET 架构,加上防倒充电路,所以不需要外部隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节,以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充
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