国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D10065Q用于升压电源模块

时间：2022-10-17

作者：国芯思辰（深圳）科技有限公司

在升压电源模块中，会用到肖特基二极管，但常规硅二极管一般耐压低、损耗大。要想实现更高的380V电压，硅二极管就不是很合适了。本文主要提到国产厂家基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q。

升压原理的基本电路如下图所示，肖特基二极管应用位置已标注：

B2D10065Q应用于28V升压到380V的升压电路中的主要特点如下：

（1）耐压高

B2D10065Q的反向耐压650V，在380V的直流升压系统中有足够余量应对。

（2）损耗小

B2D10065Q的正向压降为1.29V，在380V时，损耗只有0.34%，进一步提高升压电源模块的效率。

（3）体积小

电源模块一般封装很小，需要的元器件也要尽量小体积，B2D10065QDFN8*8贴片封装，在保证良好散热的情况下，减小体积以及布线面积，保证了电源模块的小型化。

（4）可靠性高

电源模块作为一个系统的“动力之源”，是电子产品较核心的部件，所以对可靠性要求更高。B2D10065Q可以在-55℃~175℃，满足电源模块高温工作环境要求。

（5）兼容性强

B2D10065Q可替代**英飞凌的IDL10G65C5、意法半导体的STPSC10065DLF以及安森美的FFSM1065A。

综上，基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q，具备耐压高、损耗小、体积小、可靠性高的特点，能够满足28V升压到380V的电源模块设计需要。

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