国芯思辰｜基本半导体大电流高压碳化硅MOS B1M032120HK助力UPS电源高效化，导通电阻32mΩ

时间：2022-10-31

UPS电源作为日常生活中的应急备用电源，其效率要求也逐渐提高。UPS电源内部主电路拓扑多采用LLC谐振变换器，然而传统的功率MOS（**级结MOS和COOLMOS）已经很难满足电源高开关频率的需求，国产基本半导体大电流高压碳化硅MOS B1M032120HK可以很好的满足这一应用。

LLC谐振变换器的典型电路图

如图是UPS电源LLC谐振变换器的典型电路图，其输入电压一般以AC220V或者380V为主。以15KW-20KW功率的UPS电源为例，开关频率要求在100KHz以上，同时母线较高电压可达450-600V，原边功率管Q1和Q2上的电流较大在40A-50A左右，传统的功率MOS电流电压上很难做到兼容，可选择少，此时大电流高压的碳化硅MOS便是较佳选择。

针对这一应用需求，这里提到基本半导体的大电流高压碳化硅MOS B1M032120HK，其应用优势如下：

1、耐压高，电流大，1200V的耐压可以确保碳化硅MOS在UPS电源输入电压波动时不易被损坏，同时在Tc=100℃时，较大ID可达84A，用于15KW的UPS电源，电流裕量也很充足；

2、导通电阻低，其典型值32mΩ，这样就可以确保在100KHz工作时，导通损耗能做到很低，大大降低管子的发热量；

3、集成快恢复体二极管，其内部体二极管的反向恢复时间仅27ns，用于UPS电源的LLC拓扑中，损耗进一步降低；

4、采用TO-247-4L封装，增加开尔文引脚，降低驱动布线带来的杂散电感和电容，大大提高电路工作的可靠性；

5、基本半导体的国产碳化硅MOS，相对于进口器件优势明显，是国产化项目的较佳选择。

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