国芯思辰｜优晶N沟道MOSFET YC52N04ADE用于UPS电源BUCK电路，导通电阻低至6.5mΩ

时间：2022-12-07

国芯思辰接触的某工程师在设计一款3kW的UPS电源，该项目中需要一款低压MOS在Buck电路用作开关。规格要求：输出电压40V，输出电流40A，封装DFN3*3。本文推荐优晶N沟道MOSFET器件YC52N04ADE。下图是YC52N04ADE应用于UPS电源BUCK电路的典型应用框路：

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上图是DC-DC拓扑之一BUCK电路，它是一种降压类型电路。该电路主要元器件包括开关管、电感、续流二极管、滤波电容。优晶N沟道MOSFET器件YC52N04ADE漏源电压40V，连续漏较电流52A，RDS (ON) =4.2mΩ(典型值)@VGS=10V，RDS (ON) =6.5mΩ(典型值)@VGS=4.5V，其**高密度单元设计和快速切换能力非常适用于BUCK电路。

综上，优晶N沟道MOSFET器件YC52N04ADE应用于UPS电源BUCK电路的优势有以下几点：

1、YC52N04ADE采用DFN3*3封装，有效减少了PCB设计空间。

2、YC52N04ADE较大栅源较间电压为±20V，结到壳与结到环境的热阻值低，减少系统整体发热量。

3、YC52N04ADE经过**雪崩测试，可提供无铅和绿色环保器件，符合RoHS标准。

4、YC52N04ADE性价比相对国外其他品牌更有优势。

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