涨价缺货的野火，如今已扩散到CMOS晶片

时间：2022-12-07

作者：深圳海木芯科技有限公司

电子业系统厂缺货缺怕了！从被动元件、硅晶圆、MOSFET等产能大缺，现在大家看到影子就开，就怕抢不到货耽误出货，*大厂苹果、华为等，在关键元件取得等仍有相对优势，二线品牌则必须以更高价抢货，使得价格愈涨愈高。

涨价缺货如今已扩散到CMOS晶片

CMOS晶片也将成为继被动元件、金氧半场效电晶体（MOSFET）等之后，又一闹缺货的关键电子元件。

据闽台媒体报道，涨价缺货的野火如今已扩散到CMOS图像感测元件上，今年电子关键零组件及半导体材料接二连三调涨售价，有钱也拿不到货，前车之鉴，让商及客户端一听到缺货就害怕。

▲图／经济日报提供

而这一波CMOS供货吃紧，就是在这样的氛围下酝酿成形，且有迹可寻，早在今年*2季，高端镜头马达就已传出供货吃紧情况。

主要来源是华为P20配置三镜头掀起热潮

业界人士分析，这波CMOS晶片缺货潮，主要是手机**华为推出机王P20手机配置三镜头之后，在中国及欧洲热销，掀起中国三镜头跟进风潮，加上中国天网系统将架起5.7亿支监视器，对高端影像感测CMOS晶片需求大开，一时间供不应求。

▲**大智能机厂商出货量及市场份额

根据市场研究机构IDC报告，华为*2季**手机出货量达5,420万支，追赶苹果，居二哥地位，仅次于三星。

今年*二季度，**智能机出货量为3.42亿部，较上年同期的3.482亿部下降1.8%。在**大智能机厂商(三星、华为、苹果、小米、OPPO)中，只有三星的智能机出货量出现下滑。

分析其因：华为今年推出新款旗舰机P20销售**乎市场预期，该款手机高性价比在专业手机网站获得较高评价，网站分析热销归功於配置徠卡三镜头，拍摄影像解清晰度，以及柔和感更胜苹果及三星高阶机种。

华为P20三镜头手机热销打响市场名声，使得多家品牌群起跟进，带动镜头影像感测晶片需求升温，加上业界预期下半年三星及苹果新机开始拉货，导致此波模组厂抢CMOS晶片盛况。

另外，中国开始设置天网系统，去年全中国设置约1.7亿支监视器，中国官方希望在2020年能增加到5.7亿支，深入中国城市至农村全域覆盖，且监视器解析度从过去的720P提升至1080P，对於高端影像感测晶片需求增加，也推波助燃这一波影像感测晶片需求。

CMOS**索尼、豪威等供不应求，订单转向台厂

华为等中国强力拉货，导致高端图像感测CMOS芯片大缺货，**CMOS**索尼、豪威等指标厂供不应求。

中国影像感测模组厂转而向台厂寻求备料，晶相光转往高阶影像感测晶片发展，推出**灵敏感光度感测器，应用于星光级摄影镜头，仍可显示清晰彩色图像，下半年图像传感器芯片出货将大爆发。

晶片大缺，尚立出货水涨船高

原相CMOS影像感测器以及影像应用IC的设计，是国内可自主开发完整CMOS感测晶片及相关。

过去既以中国市场为主，下半年安防监控订单量增。尚立索尼影像感测元件，为华为长期合作伙伴，中国影像感测晶片大缺，尚立出货水涨船高。

此外，CMOS随着监视器、车用、物联网、工业机器人应用面扩大，需求水涨船高，早在今年*1季**CMOS**索尼（SONY）感受到**智能型手机、物联网、车用市场扩大，宣布月产能扩增10万片（12吋晶圆计算），但仍不了市场缺口。

词条
词条说明
小课堂之CMOS芯片检测
众所周知，随着手机技术的不断发展，在过去几年中，智能手机上功能和技术增长较快的是手机摄影功能，尤其是似乎像参与了手机摄影比赛一般的国产手机，一直高挂在DXO榜单上。映射到手机上表现为摄像头的数量不断增加，像素不断加高，这点让CMOS制造商口袋饱饱。例如，由于CMOS芯片的巨大销售量，索尼**进入了世界前15大半导体市场，当然，这背后的国产机功劳功不可没。CMOS是互补金属氧化物半导体的缩写。它是指
SOI CMOS结构和工艺
常规的CMOS结构中，电源与地之间存在寄生的PNPN即SCR结构。当SCR被触发时，电源到地之间存在低阻通道，引起较大电流，破坏电路工作甚至烧毁电路，这就是闩锁效应 (Latch-up)。为避免闩锁效应，早期采用SOS (Silicon On Sapphire) 技术制作CMOS电路，即在蓝宝石绝缘衬底上外延硅，之后制作器件，这就有效的避免MOS管的源、漏区和衬底之间形成PN结。但是，蓝宝石价格昂
CMOS图像传感器，路在何方？
CMOS图像传感器制造的工艺问题CMOS图像传感器采用8英寸和12英寸晶圆代工厂的成熟工艺制程，用于手机、汽车、消费电子产品、工业和医疗系统、安防摄像头。配置双摄像头和多摄像头的智能手机已是司空见惯，每个摄像头均需要集成一颗CMOS图像传感器将光转换为电信号以创建图像。CMOS图像传感器外观示意图智能手机搭载的CMOS图像传感器数量还将增加，为摄像头赋予高分辨率和丰富的功能。例如，三星较新款5G智
MEMS与传统CMOS刻蚀与沉积工艺的关系
1 MEMS 比 CMOS 的复杂之处MEMS 与 CMOS的根本区别在于：MEMS 是带活动部件的三维器件，CMOS 是二维器件。因此，虽然许多刻蚀和沉积工艺相似，但某些工艺是 MEMS *有的，例如失效机理。举个例子，由于 CMOS 器件没有活动部件，因此不需要释放工艺。正因为如此，当活动部件“粘”在表面上，导致设备故障时，就会产生静摩擦，CMOS 没有这种问题。CMOS 器件是在硅材料上逐层