世微宽电压 9-100V 2.6A 降压恒流驱动IC LED车灯方案


    应用信息
    ◆输出电流
    输出电流由芯片内部的误差放大器采样并且和内部 的基准电压进行比较以及误差放大,从而实现系统 的恒流控制,输出电流公式如下: Iout=176mV/RCS
    ◆芯片工作
    系统上电后通过启动电阻对连接于电源引脚 VDD 的电容充电,当电源电压 3.4V 后,芯片电路 开始工作,直到 VDD 端口电压稳定达到钳位电压 5.4V 左右,芯片的供电电流主要有 VDD 端口接入 的电阻 RVDD 提供。
    ◆电感选择
    为了确保恒流精度,需要选择合适的电感,使得电感 工作在连续电流模式, 电感的临界值为: 为保系统的输出恒流特性,应用当中电感值的选择 要大于 LBCM ,电感电流应工作在连续模式。
    ◆MODE 设置

    功能    MODE  

    全亮     悬空

    半亮     VDD

    ◆过温保护
    芯片内置了智能过温保护电路,随着温度的升高,逐 渐降低输出电流,既能防止温度过高烧毁电路,又能 防止突然关闭电流引起照明异常。
    ◆续流二管
    注意续流二管的额定平均电流应大于流过二管 的平均电流。平均电流计算公式如下: 注意,二管应具有承受反向峰值电压的能力。建议 选择反向额定电压大于 VIN 的二管。为了提高 效率,建议选择快恢复的肖特基二管。
    ◆VDD 供电电阻
    芯片主要是通过一个供电电阻 RVDD 到芯片 VDD 提供芯片的工作电流,通常情况下,VDD 满足
    VDD  VIN  I D  RVDD 
    公式中可以看出,RVDD 过大会导致系统供电不足, 过小则会导致功耗过大、芯片过热。IVDD 典型值取 2mA。如果 MOS 管的输入电容较大时,芯片工作 电流会增大,相应地应减小供电电阻取值。
    ◆VDD 旁路电容
    VDD 引脚需要并联一个 0.47uF 以上的旁路电容。 PCB 布板的时候 VDD 电容需要紧挨着端口布局。
    ◆MOS 管选择
    MOS 管耐压选择要 输入电压的 1.2 倍以 上; MOS 管电流 IDS 选择一般要求是电感大峰值 电流的 2 倍以上。MOS 管的导通电阻 RDSON 越 小,损耗在 MOS 管上的功率也越小,系统转换的 效率越高。MOS 管阈值电压 VGS 要选择较低的阈 值电压值,芯片的电源工作电压决定了 DRV 驱动电 压,通常芯片的 驱动电压为 5.4V,所以要保证 MOS 管在 VGS 等于 5.4V 时能导通。
    ◆PCB 设计注意事项

    1:芯片 SW 端与续流二管、功率电感的布线覆铜 尽可能长度短、线宽大。 2:芯片 SW 端与 CS 检流电阻的布线覆铜,CS 检 流电阻与输入电容 GND 的布线覆铜,都应尽可能 长 度短、线宽大。 3:芯片的 VDD 电容靠近芯片布局,VDD 电容的 GND 端与 CS 检流电阻 GND 端保持单点连接。 4:系统的输入电容尽可能靠近 AP5125 系统布局, 保证输入电容达到好的滤波效果。

    电源芯片特点 
    ◆ 宽输入电压范围:9V~100V
    ◆ 固定工作频率:140KHZ
    ◆ 可设定电流范围:10mA~6000mA
    ◆ 内置抖频电路,降低对其他设备的 EMI 干扰
    ◆ 平均电流模式采样,恒流精度高
    ◆ CS 电压:176mV
    ◆ 输出短路保护
    ◆ 过温保护
    ◆ 功能模式:全亮/半亮
    ◆ 内置稳压管

    ◆ SOT23-6 封装

    应用领域

    ◆ 电动车,摩托车灯照明
    ◆ 汽车灯照明

    ◆ 手电筒


    芯片应用原理图:

    33W  LED车灯产品样版明细








    深圳市世微半导体有限公司专注于电源IC,驱动IC,电源驱动IC等

  • 词条

    词条说明

  • LED车灯 手电筒 外置MOS降压恒流驱动IC 12-36V 9V 1A驱动

    本品特点:宽输入电压范围:9V~100V ◆ 固定工作频率:140KHZ◆ 可设定电流范围:10mA~6000mA ◆ 内置抖频电路,降低对其他设备的 EMI 干扰◆ 平均电流模式采样,恒流精度高◆ CS 电压:176mV◆ 输出短路保护◆ 过温保护◆ 功能模式:全亮/半亮◆ 内置稳压管◆ SOT23-6 封装应用领域◆ 电动车,摩托车灯照明◆ 汽车灯照明◆ 手电筒方案如下:

  • 世微 AP50N10 场效应MOS管 TO252 100V 50A N道沟MOS管

    Super Low Gate ChargeGreen Device AvailableExcellent Cdv/dt effect declineAdvanced high cell density TrenchtechnologyProduct SummaryBVDSSRDSONID100V18 mΩ50ADescriptionTO252 Pin ConfigurationThe AP50N1

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    AP5101B 是一款高压线性 LED 恒流 芯片,外围简单、内置功率管,适用于 6- 60V 输入的降压 LED 恒流驱动 芯片。大电流1.0A。 AP5101B 可实现内置MOS 做 1.0A, 外置 MOS 可做 2.0A 的。 AP5101B 内置温度保护功能,温度保 护点为 130 度,温度达到 130 度时,输出电 流 慢 慢 减小 , 达 到 保 护 芯 片 电 路功 能 。AP51

  • 世微大功率60W的LED降压恒流外置MOS驱动方案

    这是一款60WLED驱动方案,线路图如下祥单表:实物图:此方案应用于: 电动车,摩托车灯照明\汽车灯照明\ 手电筒

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