世微 AP50N10 场效应MOS管 TO252 100V 50A N道沟MOS管

    Super Low Gate Charge
    Green Device Available
    Excellent Cdv/dt effect decline
    Advanced high cell density Trench
    technology
    Product Summary
    BVDSS
    RDSON
    ID
    100V
    18 mΩ
    50A
    Description
    TO252 Pin Configuration
    The AP50N10 is the highest performance trench N-
    ch MOSFETs with extreme high cell density,
    which provide excellent RDSON and gate charge
    for most of the synchronous buck converter
    applications .
    The AP50N10 meet the RoHS and Green Product
    requirement, ** EAS ranteed with full

    function reliability approved.



    深圳市世微半导体有限公司专注于电源IC,驱动IC,电源驱动IC等

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