世微 AP50N10 场效应MOS管 TO252 100V 50A N道沟MOS管

时间：2024-03-13作者：深圳市世微半导体有限公司浏览：120

Super Low Gate Charge
Green Device Available
Excellent Cdv/dt effect decline
Advanced high cell density Trench
technology
Product Summary
BVDSS
RDSON
ID
100V
18 mΩ
50A
Description
TO252 Pin Configuration
The AP50N10 is the highest performance trench N-
ch MOSFETs with extreme high cell density,
which provide excellent RDSON and gate charge
for most of the synchronous buck converter
applications .
The AP50N10 meet the RoHS and Green Product
requirement, ** EAS ranteed with full

function reliability approved.





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• 词条

  词条说明

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