直流负压溅射和直流溅射有什么区别

    直流负压溅射和直流溅射  在直流溅射中,带正电的离子被吸引到接地的、带负电的溅射靶上,从靶材上溅射出原子,然后这些原子在样品(也称为衬底)上沉积形成薄膜。通常情况下,溅射靶被接到正,而样品端(衬底)被接到负或接地。
     
     

       然而,有些情况下(如反溅射或偏压溅射),样品端会被接到正以吸引多余的离子,从而实现清洁衬底表面或形成离子轰击确保薄膜和基底的结合强度。这种电源连接方式可以提高薄膜的层内应力,改善其结晶性能,以及提高薄膜沉积效率。


     

       这种操作需要一定的注意事项,因为样品端上高电压可能会导致放电,影响设备的稳定性和薄膜的质量,还有可能对样品造成损坏。根据具体的设备设计和操作要求,可能需要在样品端和电源之间添加一个抗电弧装置来降低这种风险。



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