真空镀膜机是目前制作真空条件应用较为广泛的设备,目前生活中使用到的物品都离不开真空镀膜行业。但是许多人都不知道真空镀膜的主要构成部分,接下来让我们一起来认识一下真空镀膜机的主要构成部分。其中有:真空室、真空获得部分、真空测量部分、电源供给部分、工艺气体输入系统、机械传动部分、加热及测温部分、离子蒸发及溅射源、水冷系统。
1、真空室
涂层设备主要有连续涂层生产线及单室涂层机两种形式,不锈钢材料制造、氩弧焊接、表面进行化学抛光处理,真空室组件上焊有各种规格的法兰接口。
2.真空获得部分
在真空技术中,真空获得部分是重要组成部分。真空的获得不是一种真空设备和方法所能达到的,必须将几种泵联合使用,如机械泵、罗茨泵、分子泵系统等。
3.真空测量部分
真空系统的真空测量部分,就是要对真空室内的压强进行测量。像真空泵一样,没有一种真空计能测量整个真空范围,人们于是按不同的原理和要求制成了许多种类的真空计。如热偶计,电离计,皮拉尼计等等。
4.电源供给部分
靶电源主要有直流电源、中频电源、脉冲电源、射频电源(RF),常见的电源厂商有AE,ADL,霍廷格等
5.工艺气体输入系统
工艺气体,如氩气(Ar)、氪气(Kr)、氮气(N2)、乙炔(C2H2)、甲烷(CH4)、氢气(H2)、氧气(O2)等,一般均由气瓶供应,经气体减压阀、气体截止阀、管路、气体流量计、电磁阀、压电阀,然后通入真空室。这种气体输入系统的优点是,管路简捷、明快,维修或更换气瓶容易。各涂层机之间互不影响。也有多台涂层机共用一组气瓶的情况,这种情况在一些规模较大的涂层车间可能**会看到。它的好处是,减少气瓶占用量,统一规划、统一布局。缺点是,由于接头增多,使漏气机会增加。而且,各涂层机之间会互相干扰,一台涂层机的管路漏气,有可能会影响到其他涂层机的产品质量。此外,更换气瓶时,必须保证所**台都处于非用气状态。
6.机械传动部分
涂层要求周边必须厚度均匀一致,因此,在涂层过程中须有三个转动量才能满足要求。即在要求大工件台转动(I)的同时,小的工件承载台也转动( II),并且工件本身还能同时自转(III)。在机械设计上,一般是在大工件转盘底部*为一大的主动齿轮,周围是一些小的星行轮与之啮合,如果要实现产品自转的话,一般用拨叉拨动工件自转。
7.加热及测温部分
涂层设备一般有不同位置的加热器,用热电偶测控温度。但是,由于热电偶装夹的位置与工件位置不同,温度读数不可能是工件的真实温度。要想测得工件的真实温度,有很多方法,可以在工件上装高温试纸或热偶计。
8.离子蒸发及溅射源
多弧镀的蒸发源一般为圆饼形,俗称圆饼靶,也有长方形的多弧靶。靶座中装有磁铁,通过前后移动磁铁,改变磁场强度,可调整弧斑移动速度及轨迹。为了降低靶及靶座的温度,要给靶座不断通入冷却水。为了保证靶与靶座之间的高导电、导热性,还可以在靶与靶座之间加锡垫片。
9.水冷系统
一般由冷水塔,冰水机,水泵等组成。
真空镀膜机都离不开以上的任何一个零件,有这些零件一台真空镀膜机才算完整,才能正常的运行。
词条
词条说明
在真空镀膜技术中,磁控溅射镀膜技术属于比较常见的一种镀膜技术。今天,广东真空镀膜设备厂家就告诉大家,磁控溅射镀膜技术的优点和缺点: 1、沉积速度快、基材温升低、对膜层的损伤小; 2、对于大部分材料,只要能制成靶材,就可以实现溅射; 3、溅射所获得的薄膜与基片结合较好; 4、溅射所获得的薄膜纯度高、致密度好、成膜均匀性好; 5、溅射工艺可重复性好,可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜; 6、能够控制
真空蒸发镀膜设备主要用于在经予处理的塑料、陶瓷等制品表面蒸镀金属薄膜(镀铝、铬、锡、不锈钢等金属)、七彩膜仿金膜等,从而获得光亮、美观、**的塑料,陶瓷表面金属化制品。广泛应用于工艺美术、装潢装饰,灯具、家具、玩具、酒瓶盖、女士鞋后跟等领域。磁控溅射镀膜设备及技术可以再金属或非金属(塑料、玻璃、陶瓷)的工件镀金属铝、铜、钛金、锆、银、不锈钢、镍、钼、硅、钛铝及金属反应物(氧化物、氮化物、炭化物)、
真空镀膜机是目前制作真空条件应用较为广泛的设备,目前生活中使用到的物品都离不开真空镀膜行业。但是许多人都不知道真空镀膜的主要构成部分,接下来让我们一起来认识一下真空镀膜机的主要构成部分。其中有:真空室、真空获得部分、真空测量部分、电源供给部分、工艺气体输入系统、机械传动部分、加热及测温部分、离子蒸发及溅射源、水冷系统。1、真空室涂层设备主要有连续涂层生产线及单室涂层机两种形式,不锈钢材料制造、氩弧
一、靶面金属化合物的形成由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中,化合物是在哪里形成的呢?由于活性反应气体粒子与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子,通常是放热反应,反应生成热必须有传导出去的途径,否则该化学反应无法继续进行。在真空条件下气体之间不可能进行热传导,所以化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。在基片表面生成化合物是我们的目的,在其
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