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HVA 高真空闸阀应用于 OLED 镀膜机
OLED 镀膜机主要面向半导体照明客户, 需要镀膜机性能稳定, 器件效率高, 性价比高,
HVA 高真空闸阀应用
一般科研用镀膜机的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求达到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 这时需要配置分子泵系统或低温泵系统来实现高真空度的需求, 所以对于生产 OLED 镀膜机的客户, 为了节省抽空时间和防止基片的污染, 会选择在 LOADLOCK 与主腔间进行快速传样, 由于两腔室工作的真空度要求不同, 会在腔室之间增加高真空阀门来隔离系统.
有时科研设备并不配置 LOADLOCK, 但出于泵组快速抽空或方便检修要求, 还是会根据分子泵的进气口径来配置高真空阀门隔离系统. 上海伯东美国 HVA 真空阀门已广泛应用于 OLED 镀膜机
上图是某 OLED 镀膜机厂家配置上海伯东美国 HVA 高真空闸阀, 我司根据镀膜系统的自动化要求, 配置 HVA 11000 系列尺寸以 4”, 6”, 8”阀门口径为主的标准不锈钢气动高真空闸阀,
上海伯东美国 HVA 高真空闸阀 11000 系列产品
阀门材质: | |
- 阀门主体 | 304 不锈钢 |
- 焊接波纹管轴封 | AM - 350 |
阀门密封方式 | |
- 高真空 | 氟橡胶 |
- **高真空 | 铜垫圈 / 氟橡胶 |
真空: | |
- 压力范围 | 高真空 1x10-9 mbar, **高真空 1x10-10 mbar |
- 漏率 | < 2x10-9 mbar l/S |
- 差压关闭 | 1 bar ( 任意位置 ) |
- 开启前大压力 | ≤ 30 mbar |
烘烤温度(不含电磁阀): | |
- 佛橡胶密封 | 150 °c, 可选配置大 250 °c |
- 铜垫圈密封 | 阀门关闭 200 °c, 阀门打开 150 °c |
- 驱动方式 | 手动 60 °c, 气动 60 °c |
- 气体 | 80 psig (5.5 bar) |
- 电磁 | 4.0 Watts |
- 供电 | 120 VAC 50 /60 Hz |
- 可选电压 | 24, 200, 240 VAC 50/60 Hz |
- 位置指示器,大 | 115 VAC |
使用寿命: 100,000 启闭次数 (具体视实际使用情况决定) | |
公称通径: DN 16 - 800 mm |
鉴于客户信息保密, 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士,分机134
词条
词条说明
KRi 大面积射频离子源应用于 12英寸,8英寸 IBE 离子束蚀刻系统
上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大面积射频离子源 RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE 离子束蚀刻机, 刻蚀均匀性(1 σ)达到< 1%. 可以用来刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 导体等.离子束刻蚀属于干法刻蚀, 其部件为大面积离子源. 作为蚀刻机的部件,
HVA真空阀门用于太阳能电池生产 太阳能电池又称为 ”太阳能芯片” 或 ”光电池”, 是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片. 它只要被满足一定照度条件的光照到, 瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流. 在物理学上称为太阳能光伏(Photovoltaic, 缩写为PV), 简称光伏.太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置. 以光伏效应工作的晶硅太阳能电池
上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等!KRi 离子源预清洁可以实现去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留去除化学吸附污
半导体后端工艺制程中需要使用到例如 Ar, O2 或是其他特殊气体,气体管路系统(真空管路)的作用是把各种气体在满足工艺制程要求的纯度, 压力和流量的前提下稳定的供应到工艺设备内. 上海伯东美国 HVA 插板阀广泛用于高真空或高真空的气体输送环节, 用来改变气流方向, 调节气流量大小, 切断或接通管路, 起到真空隔离密封等作用. 美国 HVA&nb
公司名: 伯东企业(上海)有限公司
联系人: 叶南晶
电 话: 021-50463511
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地 址: 上海浦东高桥上海浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室
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