18W USB-PD充电器方案较简BOM

时间：2019-04-27

18W USB-PD充电器方案较简BOM

随着USB PD快充及高通QC4+快充的普及，目前市面上已有多款设备支持了USB PD快充，现在，骊微电子为你们推荐节省10颗外围的较简BOM、具成本优势的PN8161+PN8307H 18W PD快充方案。

PD充电器方案PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。

PD充电器方案PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307H集成了较为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、较小导通时间等功能。

18W PD充电器方案PN8161+PN8307H方案特性：

输入电压：90~265Vac

输出功率：18W

输出规格：12V1.5A；9V2A；5V3A

平均效率：满足CoC V5-2，4个点裕量

PCBA尺寸：48.0mm*36.0mm*14mm

拥有市电Brown in/out、输出过压保护、精准过温保护、逐周期过流保护、次级整流管短路保护等。

PN8161+PN8307H PD充电器方案亮点：

节省10颗以上外围： 无启动电阻、无CS侦测网络，原副边均实现SOP8功率集成；

满足CoC V5 Tier 2：**高压启动，实现30mW待机功耗；工作曲线随输出电压自适应，不同输出电压下平均效率裕量均大于4个点；

EMC性能**：抖频幅度随负载自适应，改善传导；DCM/QR工作模式，避免次级整流管反向恢复问题，改善辐射；

3.3~12V宽输出电压范围：PN8161/PN8307H供电范围宽，*额外LDO稳压；

协议芯片任意搭：方案易满足PD3.0/QuickCharge 4+。

目前，18W PD充电器方案已经量产出货，并得到了市场的高度认可和支持，同时18W PD快充方案支持12V1.5A；9V2A；5V3A输出规格，拥有更高效的供电能力，传输速率较快，有效的解决了手机快速充电续航等问题，如果需要产品的详细资料，可向骊微电子申请。。。。

词条
词条说明
内置mos同步整流芯片方案
PN8306M/H同步整流电源芯片，与PN8370、PN8386配合使用，轻松实现5V2A、5V2.4A、5V3.4A六级能效电源方案。 PN8306M 5v同步整流降压芯片特性：1、适用于DCM/QR工作模式的反激变换器，效率提高3%以上；2、内置6/14mΩ 55V Trench MOSFET，典型应用5V2.4A/3.4A；/3、Smart控制算法实现零直通炸机风险；4、
PN8149隔离式次级反馈电源适配器芯片
PN8149**低待机功耗交直流转换芯片, 非常适合六级能效Level6、Eur2.0能源之星应用。PN8147,PN8149部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护(外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode
PN8015非隔离电饭煲电源芯片方案
PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，输出电压可通过FB电阻调整3.3V~24V，用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源。 PN8015 5V0.2A风扇方案：■ 输入电压：90~265V■ 输出功率：≤1W■ 输出电压电流: 5V/0.2A■ 拥有可恢复短路保护，输出过载保护。在启动阶段
PN8366 5V1.2A充电器方案
PN8366产品描述：PN8366集成**低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6