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导体激光器又称为激光二极管(LD,Laser Diode),是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发射的一类激光器。常用材料有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦激励三种形式。半导体激光器件,一般可分为同质结、单异质结、双异质结。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件,而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半导体激光
激光打标是用激光束在各种不同的物质表面打上*的标记。打标的效应是通过表层物质的蒸发露出深层物质,或者是通过光能导致表层物质的化学物理变化而"刻"出痕迹,或者是通过光能烧掉部分物质,显出所GZMQ1208TXQ需刻蚀的图案、文字。 目前,公认的原理有以下两种: “热加工”具有较高能量密度的激光束(它是集中的能量流),照射在被加工材料表面上,材料表面吸收激光能量,在照射区域内产生热激发过程,从而使材
紫外全固态激光源是指输出波长在200纳米以下的固体激光器,与同步辐射和气体放电光源等现有光源相比,具有高的光子流通量/密度、好的方向性和相干性。长期以来,深紫外波段(波长小于200纳米)一直缺乏实用化、精密化激光源,制约了深紫外波段科学仪器和*研究的发展。 我国科学家自上世纪90年代初开始研究深紫外非线性光学晶体和激光技术,
由于与传统的钻孔技术相比,激光钻孔更有优势,因而在许多领域取得了成功。其优势包括非接触式处理、材料中输入的热量低、钻孔的材料范围广、**、一致性好,其它优势包括能够打次μm大小的孔、打宽高比较大的小孔和以一定的角度钻孔。 常用的钻孔技术有**冲击钻孔和旋切钻孔。其中,冲击钻孔指在一个位置上用脉冲激光束不停地加工,直至孔通。高速飞行钻孔也是一种**冲击钻孔技术,通常用于滤光片和导流GZMQ1208T
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