白话芯片漏电定位方法科普

时间：2019-02-26

白话芯片漏电定位方法科普
原创 仪准科技 王福成 转载请写明出处
芯片漏电是失效分析案例中较常见的，找到漏电位置是查明失效原因的前提，液晶漏电定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光诱导等手段是工程人员经常采用的手段。多年来，在中国半导体产业有个误区，认为激光诱导手段就是OBIRCH。今日小编为大家科普一下激光诱导（laser scan Microscope).
     目前激光诱导功能在业内普遍被采用的有三种方法，这三种方法分别被申请了专#利（日本OBIRCH、美国TIVA、新加坡VBA）。国内大多数人认为只有OBIRCH才是激光诱导，其实TIVA和VBA和OBIRCH是同等的技术。三种技术都是利用激光扫描芯片表面的情况下，侦测出哪个位置的阻抗有较明显变化，这个位置就可能是漏电位置。侦测阻抗变化就是用电压和电流来反映，下面是三个技术原理：
                  1、OBIRCH和TIVA
   
如上图是一个器件的漏电回路，R1代表漏电点的阻抗，I1代表回路电流，V代表回路上的电压。
OBIRCH；给器件回路加上一个电压V，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测回路电流I1的变化.
TIVA：给器件回路加上一个微小电流I1，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测回路电压V的变化.
2、VBA技术

如上图是一个器件的漏电回路，R1代表漏电点的阻抗，I1代表回路电流，V1代表回路上的电压，R2是串联在回路中的一个负载，V2是R2两端的电压。
VBA：给器件回路加上一个电压V1，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测V2的变化(V2/R2=I1，其实也是监测I1的变化），这样大家可以看出来了，VBA其实就是OBIRCH，只是合理回避了NEC专#利。

词条
词条说明
PCB出口难转向挖掘国内市场
熬过了国内疫情的难关，再临**疫情“失控”，对于国内逐步复工复产的PCB产业来说，出口业务正遭遇着至暗时刻。众所周知，PCB作为电子信息产品制造的基础产业，原本受宏观经济周期波动的影响较大；此次，更因海外疫情告急，短期内或使**PCB产值受一定影响。特别是中国作为**PCB产值**50%的国家，以出口业务为主的PCB厂商不在少数，基于海外多国的封城封国举措，国内PCB厂商也正面临着订单流失、交付
芯片测试方法汇总
芯片失效分析检测方法汇总失效分析赵工 1 、C-SAM（超声波扫描显微镜)，无损检查:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等. 德国 2 、X－Ray（这两者是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段），德国Fein 微焦点Xray用途：半导体BGA，线路板等内部位移的分析；利于判别空焊，虚焊等BGA焊接缺陷. 参数：标准检测
晶柱切片后处理
《晶柱切片后处理》硅晶柱长成后，整个晶圆的制作才到了一半，接下必须将晶柱做裁切与检测，裁切掉头尾的晶棒将会进行外径研磨、切片等一连串的处理，最后才能成为一片片价值非凡的晶圆，以下将对晶柱的后处理制程做介绍。切片（Slicing）长久以来经援切片都是采用内径锯，其锯片是一环状薄叶片，内径边缘镶有钻石颗粒，晶棒在切片前预先黏贴一石墨板，不仅有利于切片的夹持，更可以避免在最后切断阶段时锯片离开晶棒
晶柱成长制程
《晶柱成长制程》硅晶柱的长成，首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，并加入预先设定好的金属物质，使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质，接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱，以下将对所有晶柱长成制程做介绍。长晶主要程序︰融化（MeltDown）此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制**摄氏1420度的融化温度之上，此阶段中较重要的参数为坩锅的位置与热量的供应，若使用较大的功率来