恩智浦新推出的射频解决方案之一是MRF101AN晶体管,提供100 W的输出,采用TO-220封装,另一种解决方案是MRF300AN晶体管,提供300 W的输出,采用TO-247封装。当前适用于高功率射频的塑料封装需要精确的回流焊接工艺,而这些新型晶体管则使用标准通孔技术装配到印刷电路板(PCB),从而节省了成本。由于晶体管能够垂直紧固到底盘,或者通过更具创意、用途更多的方式进行安装(如安装在PCB下方),因此散热也得到简化。这就为机械设计提供了更多选择,有利于降低物料成本(BoM)并缩短产品面市时间。 恩智浦高级总监兼多市场射频功率部总经理Pierre Piel表示:“射频功率技术在逐渐进入要求更苛刻的新应用中,而在这些应用领域,对易用性、高性能、互操作性的要求至关重要。我们将继续致力于简化射频功率的使用,为我们的客户提供能够降低设计要求、减少产品上市时间并优化供应链的解决方案。” 在不降低性能的前提下提供灵活性 在40.68 MHz的频率下,MRF300AN输出330 W的连续波(CW),增益为28 dB,效率为79%。作为恩智浦较为耐用的晶体管系列产品的一部分,该系列专为在条件恶劣的工业应用中使用而设计,能够耐受65:1的电压驻波比(VSWR)。 它使用2 x 3英寸(5.1 x 7.1厘米)功率模块参考设计来为强大的性能提供支持,该设计采用经济高效的PCB材料。只需更换线圈和分立元件,即可对设计进行调整,以支持从1.8到250 MHz的其他任何频率,而*更改PCB布局。对于射频设计人员而言,这样可以确保产品快速面市,以便开发功率放大器,满足新市场需求。 为了实现更高的灵活性,每个晶体管提供两种配置:MRF101BN镜像MRF101AN的引脚输出,从而实现紧凑型推挽布局,在不损害效率的前提下满足宽带应用需求。 MRF101AN和MRF300AN面向工业、科学和医疗(ISM)应用,以及HF和VHF通信。开关模式电源预期还将催生一个新市场,因为这种技术实现了比现有解决方案频率更高的开关,从而降低了总物料成本。所有这些产品都参加恩智浦的“产品持续供应计划”,确保供应15年。 此两款产品,我公司现已全面供货!欢迎来电咨询
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新产品:推出标准封装的射频功率模块MRF300AN和MRF101BN
恩智浦新推出的射频解决方案之一是MRF101AN晶体管,提供100 W的输出,采用TO-220封装,另一种解决方案是MRF300AN晶体管,提供300 W的输出,采用TO-247封装。当前适用于高功率射频的塑料封装需要精确的回流焊接工艺,而这些新型晶体管则使用标准通孔技术装配到印刷电路板(PCB),从而节省了成本。由于晶体管能够垂直紧固到底盘,或者通过更具创意、用途更多的方式进行安装(如安装在P
MRFE6VP5600HR MRFE6VP6300HR BLF188XR BLF888A
MRFE6VP6300HR 1.8-600MHZ 300W 50V MRFE6VP5600HR 1.8-600MHZ 600W 50V MRFE6VP61K25HR 1.8-600MHZ 1250W 50V MRF151 175MHz 150W 50V BLF888A 470-860MHZ 600W 50V AFT23S160W02S 2300-2400MHZ 45W 28V BLF7G20LS-
公司名: 泉州新益达微波电子有限公司
联系人: 吴云红
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手 机: 15160758653
微 信: 15160758653
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邮 编: 362000
BLF888A/B/D/E 射频功率管 晶体管 功率放大器
CGH40045F 射频结栅场效应晶体管GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
CGH40025F DC-6.0GHz, 25 Watt 射频结栅场效应晶体管
MRF151G 射频晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
CGH40120F DC-2.5GHz, 120 Watt 射频结栅场效应晶体管
MRFE6VP5600HR 射频金属氧化物半导体场效应晶体管1.8 MHz to 600 MHz 600W 50V
CGH40045F DC-4.0GHz, 45 Watt 射频功率放大器 晶体管 功放管
BLF188XR HF to 600MHz 射频功率放大器 晶体管 功放管