芯片测试方法汇总

时间：2020-03-20

芯片失效分析检测方法汇总
失效分析 赵工
　　1 、C-SAM（超声波扫描显微镜)，无损检查:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等. 德国
　　2 、X－Ray（这两者是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段），德国Fein
　　微焦点Xray用途：半导体BGA，线路板等内部位移的分析 ；利于判别空焊，虚焊等BGA焊接缺陷.　参数：标准检测分辨率＜500纳米 ；几何放大倍数: 2000 倍 较大放大倍数: 10000倍 ；　辐射小: 每小时低于1 μSv ；电压: 160 KV, 开放式射线管设计
　　防碰撞设计；BGA和SMT（QFP）自动分析软件，空隙计算软件，通用缺陷自动识别软件和视频记录。这些特点非常适合进行各种二维检测和三维微焦点计算机断层扫描(μCT)应用。
　　Fein微焦点X射线（德国）
　　Y.COUGAR F/A系列可选配样品旋转360度和倾斜60度装置。
　　Y.COUGAR SMT 系列配置140度倾斜轴样品，选配360度旋转台
　　3 、SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸）, 日本电子
　　4 、EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测(这三者属于常用漏电流路径分析手段,寻找发热点，LC要借助探针台，示波器）
　　5 、FIB 线路修改，切线连线，切点观测，TEM制样，精密厚度测量等
　　6 、Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试，ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试（有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试，有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验）这些已经提到了多数常用手段。失效分析前还有一些必要的样品处理过程。
    7 、取die,decap（开封，开帽）,研磨,去金球 De-gold bump,去层,染色等，有些也需要相应的仪器机台，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray观察封装内部情况以及分层失效。
　　除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段，原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF － SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统，能量损失 X 光微区分析系统等很多手段，不过这些项目不是很常用。
芯片失效分析步骤:
    1、非破坏性分析：主要是超声波扫描显微镜（C-SAM）--看有没delamination，xray--看内部结构，等等；
    2 、电测：主要工具，万用表，示波器，sony tek370a，现在好象是370b了；
    3 、破坏性分析：机械decap，化学 decap芯片开封机
　　半导体器件芯片失效分析 芯片内部分层，孔洞气泡失效分析
　　C-SAM的叫法很多有，扫描声波显微镜或声扫描显微镜或扫描声学显微镜或超声波扫描显微镜(Scanning acoustic microscope）总概c-sam(sat)测试。
　　微焦点Xray用途：半导体BGA，线路板等内部位移的分析 ；利于判别空焊，虚焊等BGA焊接缺陷. 　参数：标准检测分辨率＜500纳米 ；几何放大倍数: 2000 倍 较大放大倍数: 10000倍 ；　辐射小: 每小时低于1 μSv ；电压: 160 KV, 开放式射线管设计防碰撞设计；BGA和SMT（QFP）自动分析软件，空隙计算软件，通用缺陷自动识别软件和视频记录。这些特点非常适合进行各种二维检测和三维微焦点计算机断层扫描(μCT)应用。　　
芯片开封机DECAP主要用于芯片开封验证SAM，XRAY的结果。
北京芯片失效分析实验室介绍
IC失效分析实验室
北软检测智能产品检测实验室于2015年底实施运营，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。

词条
词条说明
芯片失效分析方法
1 、C-SAM（超声波扫描显微镜)，无损检查:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等. 德国 2 、X－Ray（这两者是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段），德国Fein 微焦点Xray用途：半导体BGA，线路板等内部位移的分析；利于判别空焊，虚焊等BGA焊接缺陷. 参数：标准检测分辨率＜500纳米；几何放大倍数: 2
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芯片行业的困境过去几十年，在摩尔定律的指导下，芯片中的晶体管数量大约每两年翻一番。晶体管的微缩技术革新增加了晶体管的密度。摩尔定律在20世纪60年代**被发现，并一直延续到2010年代，至此以后，晶体管密度的发展开始放缓。如今，主流芯片包含了数十亿个晶体管，但如果摩尔定律能够继续按照当时的速度发展下去，它们的晶体管数量将是现在的15倍。每一代晶体管密度的增加，被称为“节点”。每个节点对应于晶体
2020年**集成电路市场销售额
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