1.引言 随着纳米科技的发展,纳米尺度制造业发展*,而纳米加工就是纳米制造业的核心部分,纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的聚焦离子束(FIB)技术利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工,配合扫描电镜(SEM)等高倍数电子显微镜实时观察,成为了纳米级分析、制造的主要方法。目前已广泛应用于半导体集成电路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦离子束(ed Ion beam, FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器,目前商用系统的离子束为液相金属离子源(Liquid MetaIon Source,LMIS),金属材质为镓(Gallium, Ga),因为镓元素具有低熔点、低蒸气压、及良好的抗氧化力;典型的离子束显微镜包括液相金属离子源、电透镜、扫描电极、二次粒子侦测器、5-6轴向移动的试片基座、真空系统、抗振动和磁场的装置、电子控制面板、和计算机等硬设备,外加电场于液相金属离子源,可使液态镓形成细小尖端,再加上负电场(Extractor) 牵引尖端的镓,而导出镓离子束,在一般工作电压下,尖端电流密度约为1埃10-8 Amp/cm2,以电透镜聚焦,经过一连串变化孔径 (Automatic Variable Aperture, AVA)可决定离子束的大小,再经过二次聚焦至试片表面,利用物理碰撞来达到切割之目的,结构示意图如下图: 3.应用 聚焦离子束系统除了具有电子成像功能外,由于离子具有较大的质量,经过加速聚焦后还可对材料和器件进行蚀刻、沉积、离子注入等加工。 3.1 离子束成像 聚焦离子束轰击样品表面,激发二次电子、中性原子、二次离子和光子等,收集这些信号,经处理显示样品的表面形貌。目前聚焦离子束系统成像分辨率已达到5nm,比扫描电镜稍低,但成像具有更真实反映材料表层详细形貌的优点。 3.2 离子束蚀刻 高能聚焦离子束轰击样品时,其动能会传递给样品中的原子分子,产生溅射效应,从而达到不断蚀刻,即切割样品的效果。其切割定位精度能达到5nm级别,具有**高的切割精度。 使用高能了离子束将不活泼的卤化物气体分子变为活性原子、离子和自由基,这些活性基团与样品材料发生化学反应后的产物是挥发性,当脱离样品表面时立刻被真空系统抽走。这些腐蚀气体本身不与样品材料发生作用,由由离子束将其离解后,才具有活性,这样便可以对样品表面实施选择性蚀刻。在集成电路修改方面有着重要应用。 3.3 离子束沉积薄膜 利用离子束的能量激发化学反应来沉积金属材料和非金属材料。通过气体注入系统将一些金属**物气体喷涂在样品上需要沉积的区域,当离子束聚焦在该区域时,离子束能量使**物发生分解,分解后的金属固体成分被沉积下来,而挥发性**物成分被真空系统抽走。 3.4 离子注入 聚焦离子束的一个重要应用时可以无掩模注入离子。掩模注入是半导体领域的一项基本操作技术,利用聚焦离子束技术的精确定位和控制能力,就可以不用掩模板,直接在半导体材料和器件上特定的点或者区域进行离子注入,精确控制注入的深度和广度。 3.5 透射电镜样品制备 透射电镜的样品限制条件是透射电镜应用的一大难题,通常透射电镜的样品厚度需控制在0.1微米以下。传统方法是通过手工研磨和离子溅射减薄来制样,不但费时而且还无法精确定位。聚焦离子束在制作透射电镜样品时,不但能精确定位,还能做到不污染和损伤样品。 4.聚焦离子束的发展 聚焦离子束现已发展成与SEM等设备联用。FIB-SEM双系统可以在高分辨率扫描电镜显微图像监控下发挥聚焦离子束的**微细加工能力。 在FIB-SEM双束系统中,聚焦离子束和电子束优势互补。离子束成型衬度大,但存在损伤样品和分辨率低的缺点,电子束激发的二次电子成像分辨率高、对样品损伤小,但衬度较低,两者组合可获得更清晰准确的样品表面信息。 5.小结 本文简单介绍了聚焦离子束(FIB)的基本原理、结构和应用。它的精确定位、显微观察和精细加工能力在电子领域有着重要应用。目前5nm的加工精度、无污染和不损伤样品在样品加工方面存在这巨大优势,是其他样品制备设备无法达到的水平。
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1.1 失效和失效分析 产品丧失规定的功能称为失效。判断失效的模式,查找失效原因和机理,提出预防再失效的对策的技术活动和管理活动称为失效分析。 1.2 失效和事故 失效与事故是紧密相关的两个范畴,事故强调的是后果,即造成的损失和危害,而失效强调的是机械产品本身的功能状态。失效和事故常常有一定的因果关系,但两者没有必然的联系。 1.3 失效和可靠 失效是可靠的反义词。机电产品的可靠度R(t)是指时间
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