半导体技术公益课 2020年4月18日(周六) 题 目: 芯片流片前的物理验证 简 介: 1.**部分drc; 2.*二部分lvs; 时 长: 10分钟 主 讲 人: Allen 产品工程师 时 间 : 11:00-11:10 题 目:芯片失效分析方法及流程 简 介:失效分析方法; 失效分析流程; 失效分析案例; 失效分析实验室介绍。 分享时长:45分钟 主 讲人:赵俊红就职于科委检测中心,集成电路产业促进部,擅长领域集成电路失效分析Decap,X-RAY,IV,FIB,EMMI,SEM,EDX,Probe,OM,Rie,高低温测试等,欢迎各集成电路企事业单位交流探讨。 时 间 : 11:15-12:00 咨询 赵工 *** 北京市海淀区东北旺西路8号中关村软件园3A楼
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[封装失效分析系列一] IC封装失效分析实验室 近年来,随着半导体技术的不断发展,继续减小线宽的投入与其回报相比变得越来越不划算。业界大佬Intel的10nm工艺预计将在2017年Q3亮相,这个时间点明显已经偏离摩尔定律。高度集成化的芯片,如SoC(systemon chip)的设计与流片成本过高,使得近些年SiP(System in Package)逐渐受到热捧。通过不同种类芯片及封装颗粒之间的
热插拔带来的EOS损坏 \使用USB接口的产品,如果热插拔设计存在问题的话,*带来EOS破坏。 产品热插拔的时候,可能会带来瞬时的大电流,这种大电流,是一种震荡波,首先,可能直接破坏芯片或器件,而是激发芯片产生大电流的latchup效应,最后烧坏芯片或器件。 某产品试用时,插拔时频频出现损坏,经过比对电性分析,发现电性明显异常,进行EMMI测试,发现芯片表面异常亮点,在显微镜下,发现铝线烧损,判
聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技术指标 一、技术指标 1、电子束电流范围:1 pA - 400 nA; 2、电子束电压:200eV-30 keV,具有减速模式 3、电子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder离子镜筒; 5、离子束加速电压500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、离
微量元素含量测试方法 近年来,元素含量测试仪器发展十分*,常见的测试仪器有原子反射光谱法(AES)、原子吸收光谱法(AAS)、X射线荧光光谱法(XRF)、电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)和质谱(ICP-MS)等,由于各个仪器的技术方法存在局限性,如何对待测元素“量体裁衣”尤为重要。下面主要从元素含量测试仪器原理、适用范围两个方面作简要介绍。 1.原子发射光谱(AES) 原子发射光谱
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